MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 305501
005 20231102001815.0
020 |a RU  |b 83-38350 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\330772 
090 |a 305501 
100 |a 20150928d1983 km y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a y z 001zy 
200 1 |a Исследование бинарных полупроводников  |f А. М. Андриеш [и др.]  |g Академия наук Молдавской ССР (АН МССР), Институт прикладной физики ; под ред. Д. В. Гицу 
210 |a Кишинев  |c Штиинца  |d 1983 
215 |a 131 с. 
300 |a Авт. указаны на обороте тит. л. 
320 |a Библиогр.: с. 105-130 
606 1 |a Полупроводники  |x Структура  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50596  |9 69249 
610 1 |a полупроводниковые соединения 
610 1 |a бинарные полупроводники 
610 1 |a исследования 
610 1 |a аморфные полупроводники 
610 1 |a получение 
610 1 |a комплексное исследование 
610 1 |a физические свойства 
610 1 |a применение 
675 |a 621.315.592  |z rus  |v 3 
701 1 |a Андриеш  |b А. М. 
701 1 |a Арушанов  |b Э. К. 
701 1 |a Молодян  |b И. П. 
701 1 |a Мушинский  |b В. П. 
702 1 |a Гицу  |b Д. В.  |g Дмитрий Васильевич  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук Молдавской ССР (АН МССР)  |b Институт прикладной физики  |c (Кишинев)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11347 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20150928 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190705  |g RCR 
942 |c BK