• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Розширений
  • Исследование полупроводников с...
  • Цитувати
  • Відправити по sms
  • Відправити е-поштою
  • Друк
  • Експортувати запис
    • Екпортувати в RefWorks
    • Екпортувати в EndNoteWeb
    • Екпортувати в EndNote
  • Постійне посилання
Export afgerond — 
Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной

Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной

Бібліографічні деталі
Співавтор: Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ)
Інші автори: Пасынков В. В. (редактор)
Мова:Російська
Опубліковано: Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983
Серія:Известия Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) Вып. 322
Предмети:
Полупроводники > Зонная теория
запрещенные зоны
карбид кремния
нитрид галлия
теллуриды
теллурид свинца
теллурид олова
получение
изготовление
полупроводниковые приборы
Формат: Книга
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=304133
  • Примірники
  • Опис
  • Схожі ресурси
  • Службовий вигляд

Схожі ресурси

  • Тройные узкозонные полупроводники A iiiBvC2vi и их твердые растворы. Фазовое взаимодействие, структура зон и явления переноса
    за авторством: Гицу Д. В. Дмитрий Васильевич
    Опубліковано: (Кишинев, Штиинца, 1986)
  • Квантовые процессы в полупроводниках: пер. с англ.
    за авторством: Ридли Б.
    Опубліковано: (Москва, Мир, 1986)
  • Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства
    за авторством: Гавалешко Н. П. Николай Петрович
    Опубліковано: (Киев, Наукова думка, 1984)
  • Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
    за авторством: Войцеховский А. В.
    Опубліковано: (2000)
  • Бесщелевые полупроводники-новый класс веществ
    за авторством: Цидильковский И. М. Исаак Михайлович
    Опубліковано: (Москва, Наука, 1986)