• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzado
  • Исследование полупроводников с...
  • Citar
  • Text this
  • Enviar este rexistro por email
  • Imprimir
  • Exportar rexistro
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Permanent link
Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной

Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной

Detalles Bibliográficos
Autor Corporativo: Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ)
Outros autores: Пасынков В. В. (редактор)
Idioma:ruso
Publicado: Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983
Series:Известия Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) Вып. 322
Subjects:
Полупроводники > Зонная теория
запрещенные зоны
карбид кремния
нитрид галлия
теллуриды
теллурид свинца
теллурид олова
получение
изготовление
полупроводниковые приборы
Formato: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=304133
  • Existencias
  • Descripción
  • Títulos similares
  • Staff View
Descripción
Descrición Física:111 с. ил.

Títulos similares

  • Тройные узкозонные полупроводники A iiiBvC2vi и их твердые растворы. Фазовое взаимодействие, структура зон и явления переноса
    por: Гицу Д. В. Дмитрий Васильевич
    Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1986)
  • Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
    por: Войцеховский А. В.
    Publicado: (2000)
  • Квантовые процессы в полупроводниках: пер. с англ.
    por: Ридли Б.
    Publicado: (Москва, Мир, 1986)
  • Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства
    por: Гавалешко Н. П. Николай Петрович
    Publicado: (Киев, Наукова думка, 1984)
  • Бесщелевые полупроводники-новый класс веществ
    por: Цидильковский И. М. Исаак Михайлович
    Publicado: (Москва, Наука, 1986)