• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Napredno
  • Основы пленочного полупроводни...
  • Citiraj ovo
  • Pošalji tekstualnu poruku
  • Pošalji ovo e-mailom
  • Ispiši
  • Izvezi zapis
    • Izvezi u RefWorks
    • Izvezi u EndNoteWeb
    • Izvezi u EndNote
  • Stalna poveznica
Основы пленочного полупроводникового материаловедения

Основы пленочного полупроводникового материаловедения

Bibliografski detalji
Glavni autor: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Daljnji autori: Сорокин В. К. Вадим Константинович
Jezik:ruski
Izdano: Москва, Энергия, 1973
Teme:
Полупроводниковая техника
полупроводниковые материалы
материаловедение
пленочные структуры
кристаллическая структура
испарение
химические свойства
адсорбция
пленки
рост
конденсация
тонкие пленки
применение
Format: Knjiga
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=303683
  • Primjerci
  • Opis
  • Slični predmeti
  • Prikaz za djelatnike knjižnice

Slični predmeti

  • Исследование твёрдости многослойных плёночных структур титан-гидрогенизированный аморфный углерод микро- и наноиндентированием; Справочник. Инженерный журнал; № 9
    Izdano: (2004)
  • Handbook of Semiconductor Interconnection Technology
    Izdano: (New York, Taylor & Francis, 2006)
  • Вып. 1; Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
    Izdano: (1982)
  • Вып. 2; Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
    Izdano: (1982)
  • Вып. 3; Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
    Izdano: (1983)