• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Wyszukiwanie zaawansowane
  • Основы пленочного полупроводни...
  • Cytować
  • Wyślij wiadomość
  • Wyślij emailem
  • Drukuj
  • Eksportuj rekord
    • Eksportuj do RefWorks
    • Eksportuj do EndNoteWeb
    • Eksportuj do EndNote
  • Odnośnik bezpośredni
Основы пленочного полупроводникового материаловедения

Основы пленочного полупроводникового материаловедения

Opis bibliograficzny
1. autor: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Kolejni autorzy: Сорокин В. К. Вадим Константинович
Język:rosyjski
Wydane: Москва, Энергия, 1973
Hasła przedmiotowe:
полупроводниковые материалы
материаловедение
пленочные структуры
кристаллическая структура
испарение
химические свойства
адсорбция
пленки
рост
конденсация
тонкие пленки
применение
Format: Książka
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=303683
  • Egzemplarz
  • Opis
  • Podobne zapisy
  • Wersja MARC
Opis
Opis fizyczny:295 с. ил.

Podobne zapisy

  • Исследование твёрдости многослойных плёночных структур титан-гидрогенизированный аморфный углерод микро- и наноиндентированием
    Wydane: (2004)
  • Handbook of Semiconductor Interconnection Technology
    Wydane: (New York, Taylor & Francis, 2006)
  • Вып. 2
    Wydane: (1982)
  • Вып. 1
    Wydane: (1982)
  • Вып. 3
    Wydane: (1983)