|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
303455 |
| 005 |
20231102001614.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\328678
|
| 090 |
|
|
|a 303455
|
| 100 |
|
|
|a 20150902d1983 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем
|f Д. И. Закс
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Радио и связь
|d 1983
|
| 215 |
|
|
|a 128 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 122-125
|
| 606 |
1 |
|
|a Микроэлектронные схемы интегральные
|x Параметры
|x Измерение
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\43834
|9 63275
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые микросхемы
|
| 610 |
1 |
|
|a тепловые режимы
|
| 610 |
1 |
|
|a тепловые сопротивления
|
| 610 |
1 |
|
|a методы
|
| 610 |
1 |
|
|a расчеты
|
| 610 |
1 |
|
|a случайные погрешности
|
| 610 |
1 |
|
|a алгоритмы расчета
|
| 610 |
1 |
|
|a температурные поля
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.049.77
|v 4
|
| 700 |
|
1 |
|a Закс
|b Д. И.
|g Дмитрий Иванович
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150902
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20190416
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
