|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
301989 |
| 005 |
20231102001445.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785970603130
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\327184
|
| 090 |
|
|
|a 301989
|
| 100 |
|
|
|a 20150818d2015 km y0rusy50 ca
|
| 101 |
1 |
|
|a rus
|c eng
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Источники опорного напряжения и тока
|e пер. с англ.
|f Л. Т. Харрисон
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c ДМК Пресс
|c Додэка
|d 2015
|
| 215 |
|
|
|a 574 с.
|c ил.
|
| 225 |
1 |
|
|a Схемотехника
|
| 320 |
|
|
|a Предметный указатель: с. 562-574.
|
| 330 |
|
|
|a Источники тока (ИТ) и источники опорного напряжения (ИОН) являются неотъемлемыми элементами многих аналоговых схем, поскольку обеспечивают фиксированные и высокостабильные уровни токов или напряжений.Настоящая книга представляет собой исчерпывающее руководство по разработке источников тока и опорного напряжения. В ней рассматриваются теоретические основы работы, схемотехника и методика применения этих устройств, реализованных как в виде монолитных ИС, так и на дискретных компонентах, а также показано, как ИОН и ИТ дополняют друг друга при проектировании аналоговых схем. Особое внимание уделено таким компонентам, как полевые транзисторы и стабилитроны, которые широко используются при построении дискретных схем ИОН и ИТ. Параметры этих приборов во многом определяют' качество работы схемы, именно поэтому в книге приводится большое количество информации, необходимой для правильного их выбора с учетом требований конкретного применения.Книга содержит большое количество примеров, типовых схем включения тех или иных компонентов, так и различных схемотехнических решений, рекомендуемых при построении ИОН и ИТ. Благодаря этому, читатель имеет возможность реализовать полученные теоретические знания на практике; не исключено, что многие из этих примеров послужат читателю хорошей «отправной точкой» при разработке его собственных схем источников тока и опорного напряжения.Книга предназначена и начинающим, и опытным инженерам-разработчикам аналоговых схем, атакже студентам технических вузов. Она наверняка будет интересна широкому кругу читателей, которые хотят разобраться в принципах работы ИТ и ИОН и понять, что же происходит «внутри» их корпуса.
|
| 606 |
1 |
|
|a Электропитание
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\20645
|9 45734
|
| 610 |
1 |
|
|a источники тока
|
| 610 |
1 |
|
|a опорные напряжения
|
| 610 |
1 |
|
|a история
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a p-n переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a биполярные транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a применение
|
| 610 |
1 |
|
|a МОП-транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a проектирование
|
| 610 |
1 |
|
|a создание
|
| 610 |
1 |
|
|a интегральные схемы
|
| 610 |
1 |
|
|a использование
|
| 610 |
1 |
|
|a прецизионные источники тока
|
| 610 |
1 |
|
|a стабилитроны
|
| 675 |
|
|
|a 621.311.6
|v 4
|
| 700 |
|
1 |
|a Харрисон
|b Л. Т.
|g Линден Т.
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150818
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20180126
|g RCR
|
| 900 |
|
|
|a Полупроводниковые, микропроцессорные и преобразовательные устройства
|
| 900 |
|
|
|a Схемотехника
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 959 |
|
|
|a 96/20150814
|d 1
|e 749,00
|f ЧЗТЛ:1
|
