|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
300841 |
| 005 |
20231101004528.0 |
| 020 |
|
|
|a RU
|b 82-68111
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\325994
|
| 090 |
|
|
|a 300841
|
| 100 |
|
|
|a 20150717d1982 km y0rusy5003 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
|f А. В. Двуреченский [и др.]
|g Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; под ред. А. В. Ржанова
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Наука
|d 1982
|
| 215 |
|
|
|a 208 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 204-206
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|x Легирование ионное
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50586
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые материалы
|
| 610 |
1 |
|
|a импульсный отжиг
|
| 610 |
1 |
|
|a наносекундные импульсы
|
| 610 |
1 |
|
|a сканирующие лучи
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационные дефекты
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллизация
|
| 610 |
1 |
|
|a примеси
|
| 610 |
1 |
|
|a тепловые поля
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.592.002
|z rus
|v 3
|
| 701 |
|
1 |
|a Двуреченский
|b А. В.
|g Анатолий Васильевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Качурин
|b Г. А.
|g Григорий Аркадьевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Нидаев
|b Е. В.
|g Евгений Васильевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Смирнов
|b Л. С.
|g Леонид Степанович
|
| 702 |
|
1 |
|a Ржанов
|b А. В.
|g Анатолий Васильевич
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук СССР (АН СССР)
|b Сибирское отделение (СО)
|b Институт физики полупроводников (ИФП)
|c (Новосибирск)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\11385
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b RuMRKP
|c 19950704
|g psbo
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150717
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20180614
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
