MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 299367
005 20231102001209.0
020 |a RU  |b 82-77885 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\324519 
090 |a 299367 
100 |a 20150627d1982 k y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UA 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Физические основы полупроводникового материаловедения  |e сборник научных трудов  |f Академия наук Украинской ССР (АН УССР), Институт проблем материаловедения им И. Н. Францевича (ИПМ) ; под ред. К. Д. Товстюка 
210 |a Киев  |c Наукова думка  |d 1982 
215 |a 202 с.  |c ил. 
320 |a Библиография в конце статей 
606 1 |a Проводниковые материалы  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\51759  |9 70324 
610 1 |a слоистые полупроводники 
610 1 |a примеси 
610 1 |a равновесные состояния 
610 1 |a неравновесные состояния 
610 1 |a свойства 
610 1 |a примесные дефекты 
610 1 |a полупроводник-диэлектрик-полупроводник 
610 1 |a солнечные элементы 
610 1 |a спектроскопия 
610 1 |a примесные состояния 
610 1 |a твердые растворы 
610 1 |a сегнетоэлектрики 
675 |a 621.315.5  |v 4 
702 1 |a Товстюк  |b К. Д.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук Украинской ССР (АН УССР)  |b Институт проблем материаловедения им И. Н. Францевича (ИПМ)  |c (Киев)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\1143 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20150627 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20170801  |g RCR 
942 |c BK