Барьеры Шоттки, собственные окислы и МОП структуры на фосфиде индия

Барьеры Шоттки, собственные окислы и МОП структуры на фосфиде индия

Dades bibliogràfiques
Autor principal:	Коротченков Г. С. Геннадий Сергеевич
Autor corporatiu:	Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо
Altres autors:	Молодян И. П. Иван Петрович (340), Радауцан С. И.
Idioma:	rus
Publicat:	Кишинев, Штиинца, 1984
Matèries:	индий фосфиды окислы МОП-структуры электрофизические свойства физико-химические явления температурные воздействия
Format:	Llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=298256

Ítems similars

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях
per: Пешев В. В.
Publicat: (2002)

Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия
per: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicat: (2006)

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки
per: Киселёв В.
Publicat: (2002)

Барьеры в полупроводниковых структурах практикум
per: Демидов Е. С.
Publicat: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2016)

Фосфид индия в полупроводниковой электронике сборник статей
Publicat: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
per: Дорохин М. В.
Publicat: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Зарядовые свойства моп-структур
per: Гурский Л. И. Леонид Ильич
Publicat: (Минск, Наука и техника, 1980)

Люминесценция широкозонных полупроводников
Publicat: (Москва, Наука, 1987)

Новые материалы электронной техники сборник научных трудов
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1990)

Инверсионно-вольтамперометрический контроль некоторых тяжелых металлов в фосфиде цинка
per: Михайлова З. С. Зинаида Сергеевна
Publicat: (1989)

Амфотерные примеси в полупроводниках
per: Фистуль В. И. Виктор Ильич
Publicat: (Москва, Металлургия, 1992)

Зарядовые свойства МОП-структур
per: Гурский Л. И. Леонид Ильич
Publicat: (Минск, Наука и техника, 1980)

Назначение и принцип действия микросхем КМОП и ТТЛ практикум
per: Сдобняков В. В.
Publicat: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2015)

Силовая полупроводниковая элементная база учебное пособие для аспирантов по направлению 13.06.01 — «электро- и теплотехника» профиля «силовая электроника»
per: Сергеев Б. С.
Publicat: (Екатеринбург, 2018)

Оптоэлектронные свойства соединений группы А В
per: Сырбу Н. Н. Николай Николаевич
Publicat: (Кишинев, Штиинца, 1983)

Моделирование компонентов и элементов интегральных схем
per: Петров М. Н.
Publicat: (Санкт-Петербург, Лань, 2021)

Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия
per: Гончаров Е. Г. Евгений Григорьевич
Publicat: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1989)

Термодинамика соединений лантаноидов справочник
per: Гордиенко С. П. Станислав Петрович
Publicat: (Киев, Наукова думка, 1979)

Гипергенные окислы марганца
per: Чухров Ф. В. Федор Васильевич
Publicat: (Москва, Наука, 1989)

Физика полупроводниковых приборов
per: Лебедев А. И. Александр Иванович
Publicat: (Москва, Физматлит, 2008)

Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение
per: Стриха В. И. Виталий Илларионович
Publicat: (Москва, Советское радио, 1974)

Инфракрасная камера на основе барьеров Шоттки для дневных наблюдений звёзд
per: Гришин Е. А.
Publicat: (2003)

Фотопроводящие окислы свинца в электронике
per: Извозчиков В. А. Валерий Александрович
Publicat: (Ленинград, Энергия, 1979)

Автокатализ термического разложения азида свинца дефектами Шоттки при малых степенях разложения
per: Ханефт А. В. Александр Вилливич
Publicat: (2011)

Цифровые устройства на МОП-интегральных микросхемах
per: Бирюков С. А. Сергей Алексеевич
Publicat: (Москва, Радио и связь, 1990)

Жидкие тугоплавкие окислы
per: Маурах М. А. Михаил Александрович
Publicat: (Москва, Металлургия, 1979)

Микросхемы КМОП и ТТЛ практикум
per: Сдобняков В. В.
Publicat: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем: Полевые транзисторы лабораторный практикум
per: Кольцов Г. И.
Publicat: (Москва, МИСИС, 2001)

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
per: Красников Г. Я. Геннадий Яковлевич
Publicat: (Москва, Техносфера, 2011)

Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро-и наноэлектронике
per: Денисенко В. В.
Publicat: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2010)

Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике
per: Денисенко В. В.
Publicat: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2010)

Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода
per: Гаман В. И.
Publicat: (2003)

Генераторы прямоугольных импульсов на МОП-элементах пер. с болг.
per: Волков С. Стефан
Publicat: (Москва, Энергоиздат, 1981)

Т.8: Окислы металлических элементов и кремния
Publicat: (1973)

Гипергенные окислы железа в геологических процессах
Publicat: (Москва, Наука, 1975)

Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек
Publicat: (2002)

Пзисторы на основе поликристаллического титаната бария. Физико-химические аспекты и применение
per: Солодуха А. М.
Publicat: (Воронеж, ВГУ, 2016)

Основы проектирования субмикронных микросхем
per: Белоус А. И.
Publicat: (Москва, Техносфера, 2020)

Газы и окислы в алюминиевых деформируемых сплавах
Publicat: (Москва, Металлургия, 1976)

Диаграммы состояния неметаллических систем. Окислы металлических элементов и кремния
per: Агеева Д. Л.
Publicat: (Москва, ВИНИТИ, 1966)