Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок

Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Рост полупроводниковых кристаллов и пленок: в 2 ч./ Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ). Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов.— , 1984
Altri autori:	Кузнецов Ф. А. Федор Андреввич (редактор)
Lingua:	russo
Pubblicazione:	1984
Soggetti:	Полупроводники > Кристаллы > Получение кристаллизация исследование химические реакции расплавы выращивание лазерная плазма примеси арсенид галлия СВЧ-приборы вольтамперометрия
Natura:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=295990

Documenti analoghi

Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, 1984)

Модели, алгоритмическое и программное обеспечение системы управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.13.01
di: Филиппов М. М. Максим Михайлович
Pubblicazione: (Томск, 2010)

Модели, алгоритмическое и программное обеспечение системы управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.13.01
di: Филиппов М. М. Максим Михайлович
Pubblicazione: (Томск, 2010)

Модели, алгоритмическое и программное обеспечение системы управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.13.01
di: Филиппов М. М. Максим Михайлович
Pubblicazione: (Томск, 2010)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Pubblicazione: (2014)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
di: Сараева В. Е.
Pubblicazione: (1989)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Pubblicazione: (2009)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Pubblicazione: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Pubblicazione: (2011)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2014)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2012)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2013)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
di: Толбанов О. П.
Pubblicazione: (2003)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Pubblicazione: (2013)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Pubblicazione: (2011)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
di: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Pubblicazione: (2018)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
di: Long Stephen I
Pubblicazione: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Ч. 1; Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
Pubblicazione: (1977)

Ч. 2; Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
Pubblicazione: (1977)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
di: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Pubblicazione: (2014)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Pubblicazione: (2014)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Толбанов О. П. Олег Петрович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Потапов А. И. Александр Иванович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Pubblicazione: (Москва, Мир, 1980)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Ардышев М. В.
Pubblicazione: (2004)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Ардышев М. В.
Pubblicazione: (2002)

Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов
di: Фистуль В. И. Виктор Ильич
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1977)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Карлова Г. Ф.
Pubblicazione: (2011)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
di: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Pubblicazione: (2012)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Pubblicazione: (2009)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
di: Карлова Г. Ф.
Pubblicazione: (2003)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Pubblicazione: (2007)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Потапов А. И. Александр Иванович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
di: Максимова Н. К.
Pubblicazione: (Томск, 1972)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
di: Пешев В. В.
Pubblicazione: (2002)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Pubblicazione: (Томск, 2000)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Толбанов О. П. Олег Петрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1984)