Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок

Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок

Bibliographic Details
Parent link:	Рост полупроводниковых кристаллов и пленок: в 2 ч./ Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ). Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов.— , 1984
Other Authors:	Кузнецов Ф. А. Федор Андреввич (редактор)
Language:	Russian
Published:	1984
Subjects:	Полупроводники > Кристаллы > Получение кристаллизация исследование химические реакции расплавы выращивание лазерная плазма примеси арсенид галлия СВЧ-приборы вольтамперометрия
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=295990

Similar Items

Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Published: (Новосибирск, Наука, 1984)

Модели, алгоритмическое и программное обеспечение системы управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.13.01
by: Филиппов М. М. Максим Михайлович
Published: (Томск, 2010)

Модели, алгоритмическое и программное обеспечение системы управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.13.01
by: Филиппов М. М. Максим Михайлович
Published: (Томск, 2010)

Модели, алгоритмическое и программное обеспечение системы управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.13.01
by: Филиппов М. М. Максим Михайлович
Published: (Томск, 2010)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Published: (2014)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
by: Сараева В. Е.
Published: (1989)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Published: (2009)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Published: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Published: (2011)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2014)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
by: Александрова О. А.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
by: Толбанов О. П.
Published: (2003)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Published: (2013)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Published: (2011)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
by: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Published: (2018)

Ч. 2; Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
Published: (1977)

Ч. 1; Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок
Published: (1977)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (Томск, 1999)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
by: Long Stephen I
Published: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, 1999)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Published: (Москва, Мир, 1980)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Ардышев М. В.
Published: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Ардышев М. В.
Published: (2004)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Published: (2014)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2014)

Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов
by: Фистуль В. И. Виктор Ильич
Published: (Москва, Металлургия, 1977)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Карлова Г. Ф.
Published: (2011)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Максимова Н. К.
Published: (Томск, 1972)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Published: (Томск, 2000)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Published: (2007)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
by: Пешев В. В.
Published: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
by: Карлова Г. Ф.
Published: (2003)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2012)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Published: (2009)