|
|
|
|
| LEADER |
00000nam2a2200000 4500 |
| 001 |
295990 |
| 005 |
20231102000849.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\321083
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\321082
|
| 090 |
|
|
|a 295990
|
| 100 |
|
|
|a 20150527d1984 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
0 |
|
|a Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов
|f под ред. Ф. А. Кузнецова
|
| 210 |
|
|
|d 1984
|
| 215 |
|
|
|a 151с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце статей
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\207356
|t Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
|o в 2 ч.
|f Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ)
|v Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов
|d 1984
|
| 606 |
|
|
|a Полупроводники
|x Кристаллы
|x Получение
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50585
|9 69238
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллизация
|
| 610 |
1 |
|
|a исследование
|
| 610 |
1 |
|
|a химические реакции
|
| 610 |
1 |
|
|a расплавы
|
| 610 |
1 |
|
|a выращивание
|
| 610 |
1 |
|
|a лазерная плазма
|
| 610 |
1 |
|
|a примеси
|
| 610 |
1 |
|
|a арсенид галлия
|
| 610 |
1 |
|
|a СВЧ-приборы
|
| 610 |
1 |
|
|a вольтамперометрия
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.592.002
|v 3
|
| 702 |
|
1 |
|a Кузнецов
|b Ф. А.
|g Федор Андреввич
|4 340
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150527
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20190201
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
