Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок

Opis bibliograficzny
Parent link:Рост полупроводниковых кристаллов и пленок: в 2 ч./ Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ). Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов.— , 1984
Kolejni autorzy: Александров Л. Н. Леонид Наумович (редактор)
Język:rosyjski
Wydane: Новосибирск, Наука, 1984
Hasła przedmiotowe:
Format: Książka
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=295989

MARC

LEADER 00000nam2a2200000 4500
001 295989
005 20231102000849.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\321082 
090 |a 295989 
100 |a 20150527d1984 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 0 |a Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов  |f под ред. Л. Н. Александрова 
210 |a Новосибирск  |c Наука  |d 1984 
215 |a 158 с.  |c ил. 
320 |a Библиография в конце статей 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\207356  |t Рост полупроводниковых кристаллов и пленок  |o в 2 ч.  |f Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ)  |v Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов  |d 1984 
606 |a Полупроводники  |x Кристаллы  |x Получение  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50585  |9 69238 
610 1 |a эпитаксия 
610 1 |a пленки 
610 1 |a импульсный нагрев 
610 1 |a фазовые равновесия 
610 1 |a исследование 
610 1 |a монокристаллы 
610 1 |a рентгеновская спектроскопия 
610 1 |a применение 
610 1 |a кремний 
610 1 |a примеси 
610 1 |a осаждение 
675 |a 621.315.592.002  |v 3 
702 1 |a Александров  |b Л. Н.  |g Леонид Наумович  |4 340 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20150527 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190201  |g RCR 
942 |c BK