Вольтамперная характеристика InGaTe₂; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 326, № 5
| Parent link: | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]/ Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2000- Т. 326, № 5.— 2015.— [С. 131-138] |
|---|---|
| Glavni avtor: | |
| Korporativna značnica: | |
| Drugi avtorji: | , |
| Izvleček: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации Цель работы: Получение и исследование вольтамперной характеристики монокристаллов и тонких пленок соединения InGaTe2 в статическом и динамическом режимах, при различных температурах и при различных площадях контактов. Методы исследования. Монокристаллы InGaTe₂ были выращены методами Бриджмена-Стокбаргера, а тонкие пленки получены с использованием метода конденсации из паровой фазы. Рентгенограммы InGaTe₂ получены на дифрактометре ДРОН-2 в CuKa излучении (l=1,54178C). Параметры элементарной ячейки определили с точностью 0,005C. Вольтамперная характеристика исследована на образцах прямоугольной формы размерами 7´1´1 ммі . Контактами служили I. n и Cu. Ток, снабжающий концы прямоугольных образцов, ориентирован так, что ток через образец протекает вдоль по оси c6 монокристалла InGaTe₂. Вольтамперная характеристика исследовалась на постоянном токе в статическом и динамическом режимах. Результаты: Рентгенофазовым анализом выявлено, что соединение InGaTe2 кристаллизуется в тетрагональной сингонии с параметрами решетки а=8,463C; с=6,981C. Исследовались статическая и динамическая вольтамперные характеристики InGaTe2 при различных температурах, изменение температуры образцов в области отрицательного дифференциального сопротивления, зависимость порогового напряжения от температуры, вольтамперная характеристика тонких пленок InGaTe2 при различных площадях контактов. Выявлено, что данная фаза обладает переключающими свойствами с памятью и с уменьшением температуры величина порогового напряжения увеличивается, в результате S-образная характеристика становится ярко выраженной. Проанализировано изменение порогового напряжения с изменением температуры. Исследовались ВАХ тонких пленок в зависимости от площади и от размера самой пленки. Выявлено, что пленки также обладают переключающими свойствами и с уменьшением площади контактов величина порогового напряжения, при котором происходит переключение, уменьшается. А также изменением температуры и площади контактов управляется величина порогового напряжения. А это означает, что данная фаза может успешно применяться при создании быстродействующих и высокочувствительных приборов. The main aim of the research is to prepare and study the current-voltage characteristics of single crystals and thin films of InGaTe2 compound in static and dynamic modes at different temperatures and for different contact area. Methods: InGaTe₂ single crystals were grown by the Bridgman- Stockbarger, and thin films were prepared by the method of physical vapor deposition. InGaTe2 radiographs were obtained on a DRON-2 CuKa radiation (l=1,54178C). The unit cell parameters were determined with an accuracy 0,005C. The current-voltage characteristics was investigated on rectangular samples with dimensions 7´1´1 mmі . In and Cu served as contacts. Current supplying the ends of rectangular samples is oriented in the way that current flows through the sample along a single crystal axis c6 of InGaTe₂monocrystal. The current-voltage characteristics were examined for constant current in static and dynamic modes. Results. X-ray analysis revealed that InGaTe2 compound crystallizes in tetragonal syngony with lattice parameters a=8,463C; a=6,981C. The authors have investigated the static and dynamic current-voltage characteristics of InGaTe4 at different temperatures, change in the samples temperature in the region of negative differential resistance, dependence of the threshold voltage on the temperature, current-voltage characteristics of InGaTe2 thin films at different contact area. It was ascertained that this phase has switching properties with memory. The threshold voltage increases at temperature decreas. The S-pattern becomes clearly expressed. The authors analyzed the change in the threshold voltage at temperature change. The CVC of thin films were investigated depending on the area and the size of the film itself. It was revealed that the films also exhibit switching properties and decreasing contact area with the magnitude of the threshold voltage at which the switching is reduced. The threshold voltage value is controlled by the changes in temperature and contact area. This means that this phase can be successfully used in the design of fast and highly sensitive instrumentation. |
| Jezik: | ruščina |
| Izdano: |
2015
|
| Teme: | |
| Online dostop: | http://earchive.tpu.ru/bitstream/11683/5494/1/bulletin_tpu-2015-326-5-15.pdf |
| Format: | Elektronski Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=294700 |
MARC
| LEADER | 00000nla2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 294700 | ||
| 005 | 20231101002029.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\book\319773 | ||
| 090 | |a 294700 | ||
| 100 | |a 20150515d2015 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drgn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Вольтамперная характеристика InGaTe₂ |b Электронный ресурс |f Э. М. Годжаев, У. С. Абдурахманова, С. О. Kулиева | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 1 файл (229 Kb) | ||
| 230 | |a Электронные текстовые данные (1 файл : 229 Kb) | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 300 | |a Электронная версия печатной публикации | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 136-137 (26 назв.)] | ||
| 330 | |a Цель работы: Получение и исследование вольтамперной характеристики монокристаллов и тонких пленок соединения InGaTe2 в статическом и динамическом режимах, при различных температурах и при различных площадях контактов. Методы исследования. Монокристаллы InGaTe₂ были выращены методами Бриджмена-Стокбаргера, а тонкие пленки получены с использованием метода конденсации из паровой фазы. Рентгенограммы InGaTe₂ получены на дифрактометре ДРОН-2 в CuKa излучении (l=1,54178C). Параметры элементарной ячейки определили с точностью 0,005C. Вольтамперная характеристика исследована на образцах прямоугольной формы размерами 7´1´1 ммі . Контактами служили I. n и Cu. Ток, снабжающий концы прямоугольных образцов, ориентирован так, что ток через образец протекает вдоль по оси c6 монокристалла InGaTe₂. Вольтамперная характеристика исследовалась на постоянном токе в статическом и динамическом режимах. | ||
| 330 | |a Результаты: Рентгенофазовым анализом выявлено, что соединение InGaTe2 кристаллизуется в тетрагональной сингонии с параметрами решетки а=8,463C; с=6,981C. Исследовались статическая и динамическая вольтамперные характеристики InGaTe2 при различных температурах, изменение температуры образцов в области отрицательного дифференциального сопротивления, зависимость порогового напряжения от температуры, вольтамперная характеристика тонких пленок InGaTe2 при различных площадях контактов. Выявлено, что данная фаза обладает переключающими свойствами с памятью и с уменьшением температуры величина порогового напряжения увеличивается, в результате S-образная характеристика становится ярко выраженной. Проанализировано изменение порогового напряжения с изменением температуры. Исследовались ВАХ тонких пленок в зависимости от площади и от размера самой пленки. Выявлено, что пленки также обладают переключающими свойствами и с уменьшением площади контактов величина порогового напряжения, при котором происходит переключение, уменьшается. А также изменением температуры и площади контактов управляется величина порогового напряжения. А это означает, что данная фаза может успешно применяться при создании быстродействующих и высокочувствительных приборов. | ||
| 330 | |a The main aim of the research is to prepare and study the current-voltage characteristics of single crystals and thin films of InGaTe2 compound in static and dynamic modes at different temperatures and for different contact area. Methods: InGaTe₂ single crystals were grown by the Bridgman- Stockbarger, and thin films were prepared by the method of physical vapor deposition. InGaTe2 radiographs were obtained on a DRON-2 CuKa radiation (l=1,54178C). The unit cell parameters were determined with an accuracy 0,005C. The current-voltage characteristics was investigated on rectangular samples with dimensions 7´1´1 mmі . In and Cu served as contacts. Current supplying the ends of rectangular samples is oriented in the way that current flows through the sample along a single crystal axis c6 of InGaTe₂monocrystal. The current-voltage characteristics were examined for constant current in static and dynamic modes. | ||
| 330 | |a Results. X-ray analysis revealed that InGaTe2 compound crystallizes in tetragonal syngony with lattice parameters a=8,463C; a=6,981C. The authors have investigated the static and dynamic current-voltage characteristics of InGaTe4 at different temperatures, change in the samples temperature in the region of negative differential resistance, dependence of the threshold voltage on the temperature, current-voltage characteristics of InGaTe2 thin films at different contact area. It was ascertained that this phase has switching properties with memory. The threshold voltage increases at temperature decreas. The S-pattern becomes clearly expressed. The authors analyzed the change in the threshold voltage at temperature change. The CVC of thin films were investigated depending on the area and the size of the film itself. It was revealed that the films also exhibit switching properties and decreasing contact area with the magnitude of the threshold voltage at which the switching is reduced. The threshold voltage value is controlled by the changes in temperature and contact area. This means that this phase can be successfully used in the design of fast and highly sensitive instrumentation. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 453 | |t Current-voltage characteristic of InGaTe₂ |o translation from Russian |f E. M. Godzhayev, U. S. Abdurahmanova, S. O. Gulieva |c Tomsk |n TPU Press |d 2015 |d 2015 |a Godzhayev, Eldar Mehrali ogly | ||
| 453 | |t Bulletin of the Tomsk Polytechnic University | ||
| 453 | |t Vol. 326, № 5 | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\176237 |t Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ] |f Томский политехнический университет (ТПУ) |d 2000- | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\319241 |x 1684-8519 |t Т. 326, № 5 |v [С. 131-138] |d 2015 | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a переключения | |
| 610 | 1 | |a рентгенофазовый анализ | |
| 610 | 1 | |a тонкие пленки | |
| 610 | 1 | |a S-образная характеристика | |
| 610 | 1 | |a пороговые напряжения | |
| 610 | 1 | |a цепочечные структуры | |
| 610 | 1 | |a соединения InGaTe₂ | |
| 610 | |a switching | ||
| 610 | |a X-ray analysis | ||
| 610 | |a thin films | ||
| 610 | |a S-shaped characteristic | ||
| 610 | |a threshold voltage | ||
| 610 | |a chain structure | ||
| 610 | |a InGaTe₂ compounds | ||
| 700 | 1 | |a Годжаев |b Э. М. |g Эльдар Мехрали оглы |6 z01712 | |
| 701 | 1 | |a Абдурахманова |b У. С. |g Улькар Сардар кызы |6 z02712 | |
| 701 | 1 | |a Kулиева |b С. О. |g Самира Оруджкулу кызы |6 z03712 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Азербайджанский технический университет(АзТУ) |c (Баку) |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19734 |6 z01700 |
| 712 | 0 | 2 | |a Азербайджанский технический университет(АзТУ) |c (Баку) |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19734 |6 z02701 |
| 712 | 0 | 2 | |a Азербайджанский технический университет(АзТУ) |c (Баку) |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19734 |6 z03701 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20190520 |g PSBO | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/bitstream/11683/5494/1/bulletin_tpu-2015-326-5-15.pdf | |
| 942 | |c CF | ||