Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.

Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.

Dettagli Bibliografici
Altri autori:	Рис Дж. У. (редактор)
Lingua:	russo
Pubblicazione:	Москва, Металлургия, 1984
Soggetti:	Полупроводниковые соединения арсенид галлия фосфид индия получение кристаллы выращивание свойства изучение хром термообработка термоконверсия полуизолирующие материалы исследование полуизолирующие системы глубокие уровни влияние приборы электроны подвижность расчет
Natura:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=294524

Documenti analoghi

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
di: Ардышев М. В.
Pubblicazione: (2004)

Сложные полупроводники: [монография]
Pubblicazione: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
di: Александрова О. А.
Pubblicazione: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
di: Новиков В. А. Владимир Александрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2007)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
di: Каплан Б. Я.
Pubblicazione: (Москва, [Б. и.], 1969)

Структура полупроводниковых расплавов
di: Полтавцев Ю. Г. Юрий Гаврилович
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1984)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Pubblicazione: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
di: Сараева В. Е.
Pubblicazione: (1989)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
di: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2004)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
di: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2004)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
di: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Pubblicazione: (Томск, 1985)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
di: Новиков В. А. Владимир Александрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2007)

Полупроводниковая электроника: сборник научных трудов
Pubblicazione: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Электрооборудование кристаллизационных установок
di: Черкасов Н. М. Николай Максимович
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1975)

Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Pubblicazione: (1984)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
di: Новиков В. А. Владимир Александрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2007)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
di: Толбанов О. П.
Pubblicazione: (2003)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
di: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Pubblicazione: (2018)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Pubblicazione: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Pubblicazione: (2009)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
di: Long Stephen I
Pubblicazione: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Ардышев М. В.
Pubblicazione: (2004)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Потапов А. И. Александр Иванович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Толбанов О. П. Олег Петрович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Ардышев М. В.
Pubblicazione: (2002)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Pubblicazione: (Москва, Мир, 1980)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
di: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Pubblicazione: (2014)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Pubblicazione: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Pubblicazione: (2011)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Pubblicazione: (2014)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Пешев В. В.
Pubblicazione: (2002)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
di: Пешев В. В.
Pubblicazione: (2002)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
di: Карлова Г. Ф.
Pubblicazione: (2003)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
di: Максимова Н. К.
Pubblicazione: (Томск, 1972)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Потапов А. И. Александр Иванович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Толбанов О. П. Олег Петрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Pubblicazione: (Томск, 2000)