Полуизолирующие соединения A III B V пер. с англ.

Полуизолирующие соединения A III B V, пер. с англ.

Bibliografische gegevens
Andere auteurs:	Рис Дж. У. (340)
Gepubliceerd in:	Москва, Металлургия, 1984
Onderwerpen:	арсенид галлия фосфид индия получение кристаллы выращивание свойства изучение хром термообработка термоконверсия полуизолирующие материалы исследование полуизолирующие системы глубокие уровни влияние приборы электроны подвижность расчет
Formaat:	Boek
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=294524

Gelijkaardige items

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]
door: Ардышев М. В.
Gepubliceerd in: (2004)

Сложные полупроводники [монография]
Gepubliceerd in: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия отдельный оттиск
door: Каплан Б. Я.
Gepubliceerd in: (Москва, [Б. и.], 1969)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
door: Новиков В. А. Владимир Александрович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 2007)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
door: Александрова О. А.
Gepubliceerd in: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Структура полупроводниковых расплавов
door: Полтавцев Ю. Г. Юрий Гаврилович
Gepubliceerd in: (Москва, Металлургия, 1984)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия
door: Сараева В. Е.
Gepubliceerd in: (1989)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Gepubliceerd in: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
door: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 2004)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Спец. 01.04.10
door: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 2004)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.07
door: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Gepubliceerd in: (Томск, 1985)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
door: Новиков В. А. Владимир Александрович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 2007)

Полупроводниковая электроника сборник научных трудов
Gepubliceerd in: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Электрооборудование кристаллизационных установок
door: Черкасов Н. М. Николай Максимович
Gepubliceerd in: (Москва, Металлургия, 1975)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
door: Новиков В. А. Владимир Александрович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 2007)

Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов
Gepubliceerd in: (1984)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
door: Толбанов О. П.
Gepubliceerd in: (2003)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
door: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Gepubliceerd in: (2018)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Gepubliceerd in: (2009)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Gepubliceerd in: (2014)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
door: Long Stephen I
Gepubliceerd in: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
door: Толбанов О. П. Олег Петрович
Gepubliceerd in: (Томск, 1999)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
door: Ардышев М. В.
Gepubliceerd in: (2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
door: Потапов А. И. Александр Иванович
Gepubliceerd in: (Томск, 1999)

Актуальные проблемы материаловедения [сборник обзоров] пер. с англ.
Gepubliceerd in: (Москва, Мир, 1980)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния
door: Ардышев М. В.
Gepubliceerd in: (2004)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
door: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства
Gepubliceerd in: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация
Gepubliceerd in: (2011)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma
door: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Gepubliceerd in: (2014)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation
Gepubliceerd in: (2014)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях
door: Пешев В. В.
Gepubliceerd in: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
door: Толбанов О. П. Олег Петрович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
door: Максимова Н. К.
Gepubliceerd in: (Томск, 1972)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия
door: Карлова Г. Ф.
Gepubliceerd in: (2011)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
door: Потапов А. И. Александр Иванович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 1999)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия
door: Карлова Г. Ф.
Gepubliceerd in: (2003)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
door: Пешев В. В.
Gepubliceerd in: (2002)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке
door: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2012)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation
door: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Gepubliceerd in: (2012)