Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.

Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.

書誌詳細
その他の著者:	Рис Дж. У. (редактор)
言語:	ロシア語
出版事項:	Москва, Металлургия, 1984
主題:	Полупроводниковые соединения арсенид галлия фосфид индия получение кристаллы выращивание свойства изучение хром термообработка термоконверсия полуизолирующие материалы исследование полуизолирующие системы глубокие уровни влияние приборы электроны подвижность расчет
フォーマット:	図書
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=294524

類似資料

Сложные полупроводники: [монография]
出版事項: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
著者:: Ардышев М. В.
出版事項: (2004)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
著者:: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版事項: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
著者:: Пешев В. В. Владимир Викторович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 1999)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
著者:: Новиков В. А. Владимир Александрович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2007)

Структура полупроводниковых расплавов
著者:: Полтавцев Ю. Г. Юрий Гаврилович
出版事項: (Москва, Металлургия, 1984)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
出版事項: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
著者:: Каплан Б. Я.
出版事項: (Москва, [Б. и.], 1969)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
著者:: Александрова О. А.
出版事項: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
著者:: Сараева В. Е.
出版事項: (1989)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
著者:: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2004)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
著者:: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2004)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
著者:: Новиков В. А. Владимир Александрович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2007)

Полупроводниковая электроника: сборник научных трудов
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
著者:: Толбанов О. П.
出版事項: (2003)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
著者:: Новиков В. А. Владимир Александрович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2007)

Электрооборудование кристаллизационных установок
著者:: Черкасов Н. М. Николай Максимович
出版事項: (Москва, Металлургия, 1975)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
著者:: Толбанов О. П. Олег Петрович
出版事項: (Томск, 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
著者:: Толбанов О. П. Олег Петрович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 1999)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
出版事項: (Ташкент, Фан, 1986)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
著者:: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
出版事項: (Томск, 1985)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2002)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1977)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
著者:: Костылев С. А. Сергей Александрович
出版事項: (Киев, Наукова думка, 1990)

Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2002)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
著者:: Стебенева В. И.
出版事項: (2018)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
著者:: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
出版事項: (Москва, Энергия, 1974)

Получение пористого материала на основе отхода полупроводникового производства; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
著者:: Семенова В. И. Валерия Игоревна
出版事項: (2019)

Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
出版事項: (1984)

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ.
出版事項: (Москва, Мир, 1988)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
著者:: Криворотов Н. П. Николай Павлович
出版事項: (Томск, 2002)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
著者:: Семенова В. И. Валерия Игоревна
出版事項: (2018)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
著者:: Криворотов Н. П. Николай Павлович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2002)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
著者:: Long Stephen I
出版事項: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
出版事項: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
出版事項: (2009)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
著者:: Ардышев М. В.
出版事項: (2002)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
出版事項: (Москва, Мир, 1980)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
著者:: Потапов А. И. Александр Иванович
出版事項: (Томск, 1999)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
著者:: Ардышев М. В.
出版事項: (2004)