Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.

Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.

Detalles Bibliográficos
Otros Autores:	Рис Дж. У. (редактор)
Lenguaje:	ruso
Publicado:	Москва, Металлургия, 1984
Materias:	Полупроводниковые соединения арсенид галлия фосфид индия получение кристаллы выращивание свойства изучение хром термообработка термоконверсия полуизолирующие материалы исследование полуизолирующие системы глубокие уровни влияние приборы электроны подвижность расчет
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=294524

Ejemplares similares

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)

Сложные полупроводники: [монография]
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
por: Каплан Б. Я.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1969)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
por: Сараева В. Е.
Publicado: (1989)

Структура полупроводниковых расплавов
por: Полтавцев Ю. Г. Юрий Гаврилович
Publicado: (Москва, Металлургия, 1984)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Publicado: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
por: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2004)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
por: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publicado: (Томск, 1985)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
por: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2004)

Полупроводниковая электроника: сборник научных трудов
Publicado: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
por: Толбанов О. П.
Publicado: (2003)

Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Publicado: (1984)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2018)

Электрооборудование кристаллизационных установок
por: Черкасов Н. М. Николай Максимович
Publicado: (Москва, Металлургия, 1975)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publicado: (2009)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publicado: (2014)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
por: Long Stephen I
Publicado: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Publicado: (Москва, Мир, 1980)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, 1999)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2014)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicado: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publicado: (2011)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Publicado: (2014)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Максимова Н. К.
Publicado: (Томск, 1972)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publicado: (Томск, 2000)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2003)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2011)