• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Gelişmiş
  • Полуизолирующие соединения A I...
  • Alıntıla
  • Telefona gönder
  • E-posta Gönder
  • Yazdır
  • Kaydı İhraç Et
    • İhraç Et RefWorks
    • İhraç Et EndNoteWeb
    • İhraç Et EndNote
  • Kalıcı bağlantı
Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.

Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.

Detaylı Bibliyografya
Diğer Yazarlar: Рис Дж. У. (редактор)
Dil:Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi: Москва, Металлургия, 1984
Konular:
Полупроводниковые соединения
арсенид галлия
фосфид индия
получение
кристаллы
выращивание
свойства
изучение
хром
термообработка
термоконверсия
полуизолирующие материалы
исследование
полуизолирующие системы
глубокие уровни
влияние
приборы
электроны
подвижность
расчет
Materyal Türü: Kitap
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=294524
  • Erişim Bilgileri
  • Diğer Bilgiler
  • Benzer Materyaller
  • MARC Görünümü
Diğer Bilgiler
Fiziksel Özellikler:256 с. ил.

Benzer Materyaller

  • Сложные полупроводники: [монография]
    Baskı/Yayın Bilgisi: (Кишинев, Штиинца, 1988)
  • Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
    Yazar:: Ардышев М. В.
    Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)
  • Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    Yazar:: Пешев В. В. Владимир Викторович
    Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1999)
  • Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    Yazar:: Пешев В. В. Владимир Викторович
    Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 1999)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    Yazar:: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 2007)