Вып. 6; Активируемые процессы технологии микроэлектроники

Вып. 6; Активируемые процессы технологии микроэлектроники

Detalhes bibliográficos
Parent link:	Активируемые процессы технологии микроэлектроники: междуведомственный тематический научный сборник/ Таганрогский радиотехнический институт (ТРТИ). Вып. 6.— , 1975-1986.— 0320-4502
Idioma:	russo
Publicado em:	1982
Assuntos:	Микроэлектронные схемы > Производство легированные пленки бор кремний диффузия математические модели диоды Ганна получение ионная имплантация МДП-структуры емкость измерение облучение дефекты
Formato:	Livro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=294220

Registos relacionados

Вып. 4; Активируемые процессы технологии микроэлектроники
Publicado em: (1978)

Вып. 5; Активируемые процессы технологии микроэлектроники
Publicado em: (1979)

Вып. 3; Активируемые процессы технологии микроэлектроники
Publicado em: (1978)

Вып. 7; Активируемые процессы технологии микроэлектроники
Publicado em: (1984)

Вып. 8; Активируемые процессы технологии микроэлектроники
Publicado em: (1986)

Технологический контроль размеров в микроэлектронном производстве
Por: Быстров Ю. А. Юрий Александрович
Publicado em: (Москва, Радио и связь, 1988)

Технология изготовления интегральных микросхем: конспект лекций; Ч. 2
Por: Скачков П. С. Павел Сергеевич
Publicado em: (Москва, Изд-во МГИ, 1984)

Автоматические приборы и оборудование в микроэлектронике: сборник научных трудов
Publicado em: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1981)

Современные тенденции развития САПР интегральных микросхем: сборник научных трудов
Publicado em: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1984)

Кн. 1; Технология СБИС
Publicado em: (1986)

Радиационно-активируемые процессы в кремнии
Publicado em: (Ташкент, Фан, 1977)

Исследование закономерностей накопления и диффузии титана в кремнии при импульсно-периодической имплантации высокоинтенсивным пучком ионов; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)
Publicado em: (2024)

Физические основы микроэлектроники: сборник научных трудов
Publicado em: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1986)

Импульсный синтез соединений для кремниевой оптоэлектроники; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Por: Баязитов Р. М.
Publicado em: (2011)

Структура сплавов с дальним порядком после ионной имплантации в полевом ионном микроскопе; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 2
Por: Сюткин Н. Н.
Publicado em: (2004)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2005)

Microstructure, defect structure and hydrogen trapping in zirconium alloy Zr-1Nb treated by plasma immersion Ti ion implantation and deposition; Journal of Alloys and Compounds; Vol. 732
Publicado em: (2018)

Ч. 1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование; Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем
Publicado em: (2007)

Технология и конструирование интегральных микросхем: учебное пособие для вузов
Por: Березин А. С. Андрей Сергеевич
Publicado em: (Москва, Радио и связь, 1992)

Ч. 1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование; Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем
Por: Королев М. А. Михаил Александрович
Publicado em: (2009)

Main principles of developing exploitation models of semiconductor devices; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
Por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado em: (2018)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
Por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (Томск, 2003)

Модификация стали 40Х при высокоинтенсивной имплантации ионов азота; Известия вузов. Физика; Т. 61, № 2
Publicado em: (2018)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
Por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2003)

Ионная имплантация: пер. с нем.
Por: Риссел Х.
Publicado em: (Москва, Наука, 1983)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2005)

Воздействие радиации на интегральные микросхемы
Por: Коршунов Ф. П. Федор Павлович
Publicado em: (Минск, Наука и техника, 1986)

Неизотермическая диффузия в бинарной системе; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 11(3)
Por: Князева А. Г. Анна Георгиевна
Publicado em: (2011)

Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах
Por: Коршунов Ф. П. Федор Павлович
Publicado em: (Минск, Наука и техника, 1978)

Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды
Por: Гусятинер М. С. Марк Соломонович
Publicado em: (Москва, Радио и связь, 1983)

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
Por: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Publicado em: (Москва, Наука, 1988)

Физические явления в технологии микроэлектроники: сборник научных трудов
Publicado em: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1982)

Сорбция и захват водорода поверхностно-легированным слоем циркониевого сплава, сформированным при ионной имплантации титана; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
Por: Чжоу Цзысянь
Publicado em: (2019)

Исследование высокоинтенсивной имплантации ионов титана в кремний в условиях энергетического воздействия пучка на поверхность; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 10
Publicado em: (2024)

Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
Por: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
Publicado em: (Москва, Наука, 1981)

Local mechanical stress relaxation of Gunn diodes irradiated by protons; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
Por: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicado em: (2017)

Коррозионная устойчивость модифицированного кремнием никелида титана в плазме крови; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 322, № 3 : Химия
Publicado em: (2013)

Тонкие нерганические пленки в микроэлектронике
Publicado em: (Ленинград, Наука, 1972)

Ионная имплантация
Por: Комаров Ф. Ф. Фадей Фадеевич
Publicado em: (Минск, Унiверсiтэцкае, 1994)