MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 293040
005 20231101001343.0
020 |a RU  |b 83-92178 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\317871 
090 |a 293040 
100 |a 20150428d1983 m y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a j 001zy 
200 1 |a Методы исследования дефектов структуры полупроводников  |e учебное пособие  |f А. А. Елисеев  |g Московский институт химического машиностроения 
210 |a Москва  |c [Б. и.]  |d 1983 
215 |a 88 с.  |c ил.  |d 20 см 
300 |a На обл. авт. не указан 
320 |a Библиогр.: с. 88 
606 1 |a Полупроводники  |x Дефекты  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50558 
610 1 |a кристаллическая структура 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a физико-химические свойства 
610 1 |a обнаружение 
610 1 |a дислокации 
610 1 |a размножение 
610 1 |a диффузионные процессы 
610 1 |a травление 
610 1 |a методы 
610 1 |a декорирование 
610 1 |a рентгеноструктурный анализ 
610 1 |a рентгеновские лучи 
610 1 |a рассеяние 
610 1 |a кинематическая теория 
610 1 |a динамическая теория 
610 1 |a волновое поле 
610 1 |a аномальное прохождение 
610 1 |a дифракционные методы 
610 1 |a прямые методы 
610 1 |a учебные пособия 
675 |a 537.311.322:539(075.8)  |z rus  |v 4 
700 1 |a Елисеев  |b А. А.  |g Аркадий Александрович  |4 070 
712 0 2 |a Московский институт химического машиностроения  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\7881 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20150428 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190116  |g RCR 
942 |c BK