• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Aurreratua
  • Вып. 24
  • Erreferentzia bihurtu
  • SMS
  • Bidali
  • Imprimir
  • Erregistroa esportatu
    • Nora RefWorks
    • Nora EndNoteWeb
    • Nora EndNote
  • Permanent link
Вып. 24

Вып. 24

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Диэлектрики и полупроводники: республиканский межведомственный научно-технический сборник/ Киевский политехнический институт (КПИ). Вып. 24.— , 1971-1992
Argitaratua: 1983
Gaiak:
ян-теллеровские центры
дипольные центры
неметаллические кристаллы
йодат лития
монокристаллы
диэлектрические свойства
тепловыделение
расчет
ИК-спектроскопия
двуокись кремния
полупроводниковые соединения
термическое расширение
диоды Шоттки
качество
фототоки
тензорезисторы
Formatua: Liburua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=293027
  • Aleari buruzko argibideak
  • Deskribapena
  • Antzeko izenburuak
  • MARC erregistroa
Deskribapena
Deskribapen fisikoa:99 с. ил.

Antzeko izenburuak

  • Исследования полупроводников и диэлектриков [сборник статей]
    Argitaratua: (Москва, Изд-во АН СССР, 1963)
  • Вып. 20
    Argitaratua: (1981)
  • Вып. 23
    Argitaratua: (1983)
  • Высота потенциального барьера ян-теллеровского центра
    Argitaratua: (2004)
  • Вып. 21
    Argitaratua: (1982)