|
|
|
|
| LEADER |
00000nam2a2200000 4500 |
| 001 |
292203 |
| 005 |
20231102000454.0 |
| 020 |
|
|
|a RU
|b 83-88634
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\316818
|
| 090 |
|
|
|a 292203
|
| 100 |
|
|
|a 20150421d1983 km y0rusy5003 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
0 |
|
|a Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза
|
| 210 |
|
|
|d 1983
|
| 215 |
|
|
|d 21 см
|a 217 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце статей
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\316816
|t Материалы электронной техники
|o [сборник статей]
|f Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ) ; Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Бурятский институт естественных наук (БИЕН)
|v Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза
|d 1983
|
| 606 |
1 |
|
|a Электронное материаловедение
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\20416
|9 45522
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a монокристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a рост
|
| 610 |
1 |
|
|a выращивание
|
| 610 |
1 |
|
|a электронные приборы
|
| 610 |
1 |
|
|a производство
|
| 610 |
1 |
|
|a материалы
|
| 610 |
1 |
|
|a химическая кристаллизация
|
| 610 |
1 |
|
|a газофазная кристаллизация
|
| 610 |
1 |
|
|a поверхностные процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a арсенид галлия
|
| 610 |
1 |
|
|a газофазная эпитаксия
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксиальные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a искусственная эпитаксия
|
| 610 |
1 |
|
|a формообразование
|
| 675 |
|
|
|a 621.38.002.3
|z rus
|v 4
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b RuMRKP
|c 19950704
|g psbo
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150421
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20181217
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
