Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ- и МДП-структурах

Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ- и МДП-структурах

Bibliographische Detailangaben
Weitere Verfasser:	Вдовин О. С. Олег Сергеевич, Кирьяшкина З. И., Котелков В. Н., Новичков В. В., Рожков В. А., Самохвалов М. К., Свердлова А. М.
Zusammenfassung:	Авт. указаны на 5-й с.
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Саратов, Изд-во Саратовского ун-та, 1983
Schlagworte:	Полупроводники окисные редкоземельные элементы оксиды тонкие пленки получение методы тонкопленочные МДМ-структуры кремниевые МДМ-структуры германиевые МДМ-структуры арсенид галлия переходные процессы
Format:	Buch
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=290554

Ähnliche Einträge

Роль углерода в процессе электрической формовки МДМ-систем; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 2
von: Троян П. Е.
Veröffentlicht: (2003)

Тонкие плёнки с разупорядоченной структурой для электроники; Современные техника и технологии
von: Калистратов С. В.
Veröffentlicht: (2000)

Зарядоперенос в структурах с диэлектрическими слоями
von: Гуртов В. А. Валерий Алексеевич
Veröffentlicht: (Петрозаводск, Изд-во ПетрГУ, 2010)

Магнитоупругие датчики крутящего момента
von: Рыбальченко Ю. И. Юрий Иванович
Veröffentlicht: (Москва, Машиностроение, 1981)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
von: Ардышев М. В.
Veröffentlicht: (2002)

Наносекундные ускорители электронов и радиационные технологии на их основе
von: Соковнин С. Ю. Сергей Юрьевич
Veröffentlicht: (Екатеринбург, УрО РАН, 2007)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
von: Карлова Г. Ф.
Veröffentlicht: (2003)

Наносекундные ускорители электронов для радиационных технологий: [монография]
von: Соковнин С. Ю. Сергей Юрьевич
Veröffentlicht: (Екатеринбург, Изд-во Уральского ГАУ, 2017)

Система кремний - двуокись кремния в МОП-структурах
von: Румак Н. В. Николай Владимирович
Veröffentlicht: (Минск, Наука и техника, 1986)

Исследование методом электронной ОЖЕ-спектроскопии физико-химических взаимодействий в структурах металл-арсенид галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
von: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Veröffentlicht: (Томск, Изд-во ТГУ, 1986)

Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах
von: Гриценко В. А. Владимир Алексеевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, Наука, 1993)

Явления переноса носителей заряда и тепла в полупроводниках
Veröffentlicht: (Махачкала, Изд-во института физики ДФАН СССР, 1986)

Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника: [сборник]
Veröffentlicht: (Ташкент, Фан, 1972)

Тонкоплёночные наноматериалы на основе двойных оксидов тантала (V) и лантана (III); Современные техника и технологии; Т. 3
von: Лисеенко О. В.
Veröffentlicht: (2010)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Veröffentlicht: (Новосибирск, Наука, 1977)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
von: Спирина А. А. Анна Александровна
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2023)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
von: Костылев С. А. Сергей Александрович
Veröffentlicht: (Киев, Наукова думка, 1990)

Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов.: Межвузовская научно-техническая программа "Природокомплекс"; Отчет о НИР; Тема г/б Том-10
Veröffentlicht: (Томск, 1990)

Тонкопленочные наносистемы на основе двойных оксидов циркония и германия; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 5
Veröffentlicht: (2006)

Связь параметров и структурного совершенства кремниевых pin-фотоприемников; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 12
von: Кулинич О. А.
Veröffentlicht: (2004)

Полупроводниковые управляемые вентили: сборник статей; пер. с англ.
Veröffentlicht: (Москва, Госэнергоиздат, 1962)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
von: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Veröffentlicht: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Разработка методов и средств измерений параметров полупроводниковых материалов и структур: Отчет о НИР; Тема: 10-36/89
Veröffentlicht: (Томск, 1990)

Особенности измерения диэлектрической проницаемости тонких пленок МДП-структур; Вестник науки Сибири; № 1 (1)
Veröffentlicht: (2011)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
von: Толбанов О. П.
Veröffentlicht: (2003)

Вопросы теории и применения редкоземельных металлов
Veröffentlicht: (Москва, Наука, 1964)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
von: Сараева В. Е.
Veröffentlicht: (1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
von: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Veröffentlicht: (2018)

Технология и физико-химические свойства тонкопленочных материалов на основе двойных оксидов кремния и d-металлов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец.05.17.11
von: Бричкова В. Ю. Виктория Юрьевна
Veröffentlicht: (Томск, 2011)

Термодинамика процесса фторирования редкоземельных и переходных элементов и их оксидов; Ядерная энергетика: технология, безопасность, экология, экономика, управление
Veröffentlicht: (2010)

Нанотехнологическая революция стартовала; Природа; № 1
von: Головин Ю. И.
Veröffentlicht: (2004)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
von: Пешев В. В. Владимир Викторович
Veröffentlicht: (Томск, 1999)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Veröffentlicht: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Veröffentlicht: (2009)

Преобразователи изображений типа МДП - электрооптический материал
von: Сихарулидзе Д. Г. Давид Германович
Veröffentlicht: (Москва, Радио и связь, 1986)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
von: Long Stephen I
Veröffentlicht: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Т. 2; Зарубежные транзисторы и их аналоги
Veröffentlicht: (1999)

Расширение интервала рабочих температур полупроводниковых приборов: сборник научных статей
Veröffentlicht: (Киев, Вища школа, 1975)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
von: Пешев В. В. Владимир Викторович
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 1999)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Veröffentlicht: (Москва, Мир, 1980)