MARC

LEADER 00000nam1a2200000 4500
001 288768
005 20231102000124.0
020 |a RU  |b 85-73642 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\313252 
090 |a 288768 
100 |a 20150327d1985 km y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UZ 
200 1 |a Нестационарные токи двойной инжекции в полупроводниках  |f Д. А. Аронов, Р. Маматкулов, Я. П. Котов  |g Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР), Физико-технический институт ; под ред. Р. А. Муминова 
210 |a Ташкент  |c Фан  |d 1985 
215 |a 227 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 224-225 
320 |a Библиография в конце разделов. 
606 1 |a Полупроводники  |x Электронная структура  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50638  |9 69290 
610 1 |a инжекция 
610 1 |a нестационарные токи 
610 1 |a динамические характеристики 
610 1 |a прямые токи 
610 1 |a плотность 
610 1 |a переходные процессы 
610 1 |a частотные характеристики 
610 1 |a импеданс 
610 1 |a расчет 
610 1 |a анализ 
675 |a 537.311.322:530.145  |z rus  |v 3 
700 1 |a Аронов  |b Д. А.  |g Давид Абаевич  |4 070 
701 1 |a Маматкулов  |b Р. 
701 1 |a Котов  |b Я. П. 
702 1 |a Муминов  |b Р. А.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР)  |b Физико-технический институт  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\13582 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20150327 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20180327  |g RCR 
942 |c BK