Влияние нестационарных и многочастичных эффектов на туннелирование электронов, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.01.04.04

Documenti analoghi

• Резонансное туннелирование электронов через виртуальные интерференционные состояния, формирующиеся вследствие отражения от границы сильнолегированной области CaAs
  di: Ханин Ю. Н.
  Pubblicazione: (2004)
• Влияние собственного поля электронов и Г-Х-междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах
  di: Караваев Г. Ф.
  Pubblicazione: (2003)
• Резонансное туннелирование через двумерную наноструктуру с присоединенными проводниками
  di: Гейлер В. А.
  Pubblicazione: (2003)
• Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле
  di: Серов А. Ю.
  Pubblicazione: (2004)
• Резонансное туннелирование в сверхпроводящих переходах с различной симметрией параметра порядка
  di: Гончаров Д. В.
  Pubblicazione: (2004)