MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 286661
005 20231101235920.0
020 |a RU  |b 85-39799 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\310987 
090 |a 286661 
100 |a 20150306d1985 km y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UA 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Физические основы полупроводниковой электроники  |f Академия наук Украинской ССР (АН УССР), Институт полупроводников (ИП) ; под ред. О. В. Снитко 
210 |a Киев  |c Наукова думка  |d 1985 
215 |a 304 с.  |c ил. 
300 |a Авт. указаны в огл. 
320 |a Библиогр.: с. 269-302 
606 1 |a Электроника полупроводниковая  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\20334  |9 45443 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a полупроводниковые приборы 
610 1 |a горячие электроны 
610 1 |a биполярный дрейф 
610 1 |a колебательные резонансы 
610 1 |a оптическая активность 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a релаксация 
610 1 |a электронный парамагнитный резонанс 
610 1 |a нервные процессы 
610 1 |a фотоэлектрические приборы 
610 1 |a химия 
610 1 |a тонкие слои 
610 1 |a чувствительность 
610 1 |a криогенная термометрия 
610 1 |a оптическая информация 
610 1 |a фотопроводники 
610 1 |a оптоэлектронные многополюсники 
610 1 |a электролюминесцентные излучатели 
675 |a 621.382  |z rus  |v 3 
702 1 |a Снитко  |b О. В.  |g Олег Вячеславович  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук Украинской ССР (АН УССР)  |b Институт полупроводников (ИП)  |c (Киев)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\12057 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20150306 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20180115  |g RCR 
942 |c BK