• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Recherche avancée
  • Исследования неравновесных нос...
  • Citer
  • Envoyer par SMS
  • Envoyer par courriel
  • Imprimer
  • Exporter les notices
    • Exporter vers RefWorks
    • Exporter vers EndNoteWeb
    • Exporter vers EndNote
  • Permalien
Исследования неравновесных носителей в германии при низких температурах

Исследования неравновесных носителей в германии при низких температурах

Détails bibliographiques
Collectivité auteur: Академия наук СССР (АН СССР) Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН)
Autres auteurs: Прохоров А. М. Александр Михайлович (редактор)
Langue:russe
Publié: Москва, Наука, 1985
Collection:Труды физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН) Т. 161
Sujets:
Германий > Поверхностные свойства
электронно-дырочные переходы
экситоны
исследования
неравновесные носители
низкие температуры
Format: Livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=286509
  • Exemplaires
  • Description
  • Documents similaires
  • Affichage MARC

Documents similaires

  • Оптически возбужденные полупроводники при низких и сверхнизких температурах
    Publié: (Москва, Наука, 1988)
  • Электронно-дырочное возбуждение германия при взаимодействии с атомарным водородом: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    par: Кабанский А. Е. Александр Ефимович
    Publié: (Новосибирск, [Б. и.], 1980)
  • Экситоны в полупроводниках: [сборник]
    Publié: (Москва, Наука, 1971)
  • Электронно-дырочные капли в полупроводниках
    Publié: (Москва, Наука, 1988)
  • Влияние примеси I на процессы распада электронных возбуждений в кристаллах KBR:I при низких температурах; Современные техника и технологии
    par: Вильчинская С. С. Светлана Сергеевна
    Publié: (2000)