Физические основы образования глубоких уровней в кремнии

Физические основы образования глубоких уровней в кремнии

Podrobná bibliografie
Hlavní autor:	Зайнабидинов С.
Korporativní autor:	Ташкентский государственный университет
Vydáno:	Ташкент, Фан, 1984
Témata:	физические основы кремний кислород углерод термические деформации радиационные дефекты глубокие уровни образование термообработка примесные атомы
Médium:	Kniha
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=284547

Podobné jednotky

Глубокие уровни в полупроводниках сборник статей
Vydáno: (Ташкент, Изд-во ТашГУ, 1981)

О природе радиационной стойкости компенсированного кремния
Vydáno: (2004)

Электронный спиновый резонанс в полупроводниках сборник статей пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Иностранная литература, 1962)

Вып. 18
Vydáno: (1980)

Образование и кинетика распада примесных преципитато никеля в кремнии
Autor: Зайнабидинов С. З.
Vydáno: (2004)

Paramagnetiische Elektronenresonanz in Halbleitern
Autor: Lancaster G.
Vydáno: (Leipzig, Akademische Verlagsgesellschaft Geest @ Portig K.-G., 1973)

Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями.
Vydáno: (Москва, Металлургия, 1987)

Взаимодействие атомов C, N, O, H с дефектами кристаллической решетки в ГЦК металлах на примере Ni, Ag, Al автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук спец. 1.3.8
Autor: Зоря И. В. Ирина Васильевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2022)

Ионное легирование полупроводников (Кремний и германий) пер. с англ.
Autor: Мейер Дж. Джеймс
Vydáno: (Москва, Мир, 1973)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Vydáno: (Новосибирск, Наука, 1981)

Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием
Autor: Коноплева Р. Ф. Раиса Федоровна
Vydáno: (Москва, Атомиздат, 1975)

Полупроводниковые твердые растворы (германий-кремний)
Vydáno: (Баку, Элм, 1983)

Нейтронно-активационное определение примесных элементов в полупроводниковом кремнии
Autor: Кабанов Д. В. Денис Викторович
Vydáno: (2016)

Собственные энергетические уровни соединений группы А [IV] В [VI]
Autor: Соболев В. В.
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1981)

Полупроводники пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1962)

Точечные дефекты и их влияние на физические свойства кристаллов
Autor: Онуфриенок В. В.
Vydáno: (Красноярск, КрасГАУ, 2018)

Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках материалы Всесоюзного семинара по проблеме "Физика и химия полупроводников"
Vydáno: (Москва, Изд-во АН СССР, 1987)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Vydáno: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Собственные полупроводники при больших уровнях возбуждения
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1978)

Каналирование ионов
Autor: Шипатов Э. Т. Эдуард Трифонович
Vydáno: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1986)

Физические основы полупроводникового материаловедения сборник научных трудов
Vydáno: (Киев, Наукова думка, 1982)

Вып. 4: (C,Si,Ge,Sn,Pb). Ч.1: Таблицы принятых значений
Vydáno: (1970)

Дефекты в кремнии и на его поверхности
Autor: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
Vydáno: (Москва, Наука, 1990)

Исследования по полупроводникам. Новые полупроводниковые материалы [сборник]
Vydáno: (Кишинев, Картя молдовеняскэ, 1964)

Релаксационные явления в нитевидных кристаллах полупроводников
Autor: Антипов С. А. Сергей Анатольевич
Vydáno: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1987)

Точечные дефекты в твердых телах Сборник статей
Vydáno: (Москва, Мир, 1979)

Точечные дефекты в полупроводниках.Теория. пер. с англ.
Autor: Ланно М. Мишель
Vydáno: (Москва, Мир, 1984)

Рекомбинация носителей тока в полупроводниках сборник статей пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1959)

Металлы с немагнитными примесными атомами
Autor: Жернов А. П. Аркадий Павлович
Vydáno: (Москва, Энергоатомиздат, 1992)

Исследование бинарных полупроводников
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1983)

Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями монография
Autor: Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1981)

Применение эффекта Мессбауэра в физике аморфных полупроводников
Autor: Серегин П. П. Павел Павлович
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1989)

Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках
Autor: Берман Л. С. Лев Соломонович
Vydáno: (Ленинград, Наука, 1981)

Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии
Vydáno: (Новосибирск, Наука, 1991)

Использование ядерного легирования для получения высокоомного кремния
Autor: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
Vydáno: (2016)

Общая и неорганическая химия. Практикум по неорганической химии учебное пособие для подготовки бакалавров по направлениям18.03.01 «химическая технология»,18.03.02 «энерго- и ресурсосберегающие процессы в химической технологии, нефтехимии и биотехнологии», 20.03.02 «техносферная безопасность», 35.03.02.03 «технология лесозаготовительных и деревоперерабатывающих производств» всех форм обучения
Autor: Школьников Е. В.
Vydáno: (Санкт-Петербург, СПбГЛТУ, 2024)

Исследование и применение широкозонных полупроводников сборник научных трудов
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)

Люминесценция кристаллов учебное пособие для вузов
Autor: Волошина Т. В.
Vydáno: (Воронеж, ВГУ, 2012)

Термодинамика легирующих элементов и растворов кислорода в системе железо-хром-кремний
Autor: Сергунцова В. В.
Vydáno: (2010)

Методы определения терморадиационных свойств полимерных покрытий
Autor: Слободкин Л. С. Лев Соломонович
Vydáno: (Минск, Наука и техника, 1977)