Физические основы образования глубоких уровней в кремнии

Физические основы образования глубоких уровней в кремнии

Détails bibliographiques
Auteur principal:	Зайнабидинов С.
Collectivité auteur:	Ташкентский государственный университет
Langue:	russe
Publié:	Ташкент, Фан, 1984
Sujets:	Полупроводники физические основы кремний кислород углерод термические деформации радиационные дефекты глубокие уровни образование термообработка примесные атомы
Format:	Livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=284547

Documents similaires

Глубокие уровни в полупроводниках: сборник статей
Publié: (Ташкент, Изд-во ТашГУ, 1981)

О природе радиационной стойкости компенсированного кремния; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Publié: (2004)

Электронный спиновый резонанс в полупроводниках: сборник статей; пер. с англ.
Publié: (Москва, Иностранная литература, 1962)

Вып. 18; Диэлектрики и полупроводники
Publié: (1980)

Образование и кинетика распада примесных преципитато никеля в кремнии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 12
par: Зайнабидинов С. З.
Publié: (2004)

Paramagnetiische Elektronenresonanz in Halbleitern
par: Lancaster G.
Publié: (Leipzig, Akademische Verlagsgesellschaft Geest @ Portig K.-G., 1973)

Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями.
Publié: (Москва, Металлургия, 1987)

Взаимодействие атомов C, N, O, H с дефектами кристаллической решетки в ГЦК металлах на примере Ni, Ag, Al: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук; спец. 1.3.8
par: Зоря И. В. Ирина Васильевна
Publié: (Томск, [Б. и.], 2022)

Ионное легирование полупроводников (Кремний и германий): пер. с англ.
par: Мейер Дж. Джеймс
Publié: (Москва, Мир, 1973)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Publié: (Новосибирск, Наука, 1981)

Полупроводниковые твердые растворы (германий-кремний)
Publié: (Баку, Элм, 1983)

Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием
par: Коноплева Р. Ф. Раиса Федоровна
Publié: (Москва, Атомиздат, 1975)

Нейтронно-активационное определение примесных элементов в полупроводниковом кремнии; Изотопы: технологии, материалы и применение
par: Кабанов Д. В. Денис Викторович
Publié: (2016)

Точечные дефекты и их влияние на физические свойства кристаллов
par: Онуфриенок В. В.
Publié: (Красноярск, КрасГАУ, 2018)

Собственные энергетические уровни соединений группы А [IV] В [VI]
par: Соболев В. В.
Publié: (Кишинев, Штиинца, 1981)

Дефекты в кремнии и на его поверхности
par: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
Publié: (Москва, Наука, 1990)

Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках: материалы Всесоюзного семинара по проблеме "Физика и химия полупроводников"
Publié: (Москва, Изд-во АН СССР, 1987)

Полупроводники: пер. с англ.
Publié: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1962)

Собственные полупроводники при больших уровнях возбуждения
Publié: (Кишинев, Штиинца, 1978)

Вып. 4: (C,Si,Ge,Sn,Pb). Ч.1: Таблицы принятых значений; Термические константы веществ
Publié: (1970)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Publié: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Каналирование ионов
par: Шипатов Э. Т. Эдуард Трифонович
Publié: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1986)

Физические основы полупроводникового материаловедения: сборник научных трудов
Publié: (Киев, Наукова думка, 1982)

Точечные дефекты в полупроводниках.Теория.: пер. с англ.
par: Ланно М. Мишель
Publié: (Москва, Мир, 1984)

Исследования по полупроводникам. Новые полупроводниковые материалы: [сборник]
Publié: (Кишинев, Картя молдовеняскэ, 1964)

Металлы с немагнитными примесными атомами
par: Жернов А. П. Аркадий Павлович
Publié: (Москва, Энергоатомиздат, 1992)

Релаксационные явления в нитевидных кристаллах полупроводников
par: Антипов С. А. Сергей Анатольевич
Publié: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1987)

Точечные дефекты в твердых телах: Сборник статей
Publié: (Москва, Мир, 1979)

Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках
par: Берман Л. С. Лев Соломонович
Publié: (Ленинград, Наука, 1981)

Рекомбинация носителей тока в полупроводниках: сборник статей; пер. с англ.
Publié: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1959)

Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии
Publié: (Новосибирск, Наука, 1991)

Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями: монография
par: Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович
Publié: (Ташкент, Фан, 1981)

Исследование бинарных полупроводников
Publié: (Кишинев, Штиинца, 1983)

Применение эффекта Мессбауэра в физике аморфных полупроводников
par: Серегин П. П. Павел Павлович
Publié: (Ташкент, Фан, 1989)

Использование ядерного легирования для получения высокоомного кремния; Изотопы: технологии, материалы и применение
par: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
Publié: (2016)

Общая и неорганическая химия. Практикум по неорганической химии учебное пособие для подготовки бакалавров по направлениям18.03.01 «химическая технология»,18.03.02 «энерго- и ресурсосберегающие процессы в химической технологии, нефтехимии и биотехнологии», 20.03.02 «техносферная безопасность», 35.03.02.03 «технология лесозаготовительных и деревоперерабатывающих производств» всех форм обучения
par: Школьников Е. В.
Publié: (Санкт-Петербург, СПбГЛТУ, 2024)

Электроника слоев SiO 2 на кремнии
par: Барабан А. П. Александр Петрович
Publié: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1988)

Моделирование современных перспективных кремниевых технологий, основанных на управлении процессами кластеризации и преципитации кислорода в кремнии: учебно-методический комплекс
par: Светухин В. В.
Publié: (Ульяновск, УлГУ, 2006)

Люминесценция кристаллов учебное пособие для вузов
par: Волошина Т. В.
Publié: (Воронеж, ВГУ, 2012)

Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Publié: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)