• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzata
  • Физические основы образования...
  • Citazione
  • Invia SMS
  • Invia email
  • Stampa
  • Esporta il record
    • Esporta a RefWorks
    • Esporta a EndNoteWeb
    • Esporta a EndNote
  • PLink permanente
Esportazione completata correttamente — 
Физические основы образования глубоких уровней в кремнии

Физические основы образования глубоких уровней в кремнии

Dettagli Bibliografici
Autore principale: Зайнабидинов С.
Ente Autore: Ташкентский государственный университет
Lingua:russo
Pubblicazione: Ташкент, Фан, 1984
Soggetti:
Полупроводники
физические основы
кремний
кислород
углерод
термические деформации
радиационные дефекты
глубокие уровни
образование
термообработка
примесные атомы
Natura: MixedMaterials Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=284547
  • Posseduto
  • Descrizione
  • Documenti analoghi
  • MARC21

Documenti analoghi

  • Глубокие уровни в полупроводниках: сборник статей
    Pubblicazione: (Ташкент, Изд-во ТашГУ, 1981)
  • О природе радиационной стойкости компенсированного кремния; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
    Pubblicazione: (2004)
  • Электронный спиновый резонанс в полупроводниках: сборник статей; пер. с англ.
    Pubblicazione: (Москва, Иностранная литература, 1962)
  • Вып. 18; Диэлектрики и полупроводники
    Pubblicazione: (1980)
  • Образование и кинетика распада примесных преципитато никеля в кремнии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 12
    di: Зайнабидинов С. З.
    Pubblicazione: (2004)