MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 284547
005 20231101235715.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\308717 
090 |a 284547 
100 |a 20150216d1984 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UZ 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Физические основы образования глубоких уровней в кремнии  |f С. Зайнабидинов  |g Ташкентский государственный университет 
210 |a Ташкент  |c Фан  |d 1984 
215 |a 159 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 149-158 
606 1 |a Полупроводники  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50596  |9 69206 
610 1 |a физические основы 
610 1 |a кремний 
610 1 |a кислород 
610 1 |a углерод 
610 1 |a термические деформации 
610 1 |a радиационные дефекты 
610 1 |a глубокие уровни 
610 1 |a образование 
610 1 |a термообработка 
610 1 |a примесные атомы 
675 |a 621.315.592  |v 3 
700 1 |a Зайнабидинов  |b С. 
712 0 2 |a Ташкентский государственный университет  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\10690  |9 24904 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20150216 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160912  |g RCR 
942 |c BK