MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 283979
005 20231101235641.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\308118 
090 |a 283979 
100 |a 20150211d1984 km y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда  |f В. Н. Овсюк  |g Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; под ред. А. В. Ржанова 
210 |a Новосибирск  |c Наука  |d 1984 
215 |a 254 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 246-253 
606 1 |a Полупроводники  |x Электронная теория  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50639  |9 69291 
610 1 |a электронные процессы 
610 1 |a пространственные зряды 
610 1 |a поверхностные состояния 
610 1 |a структура 
610 1 |a металл-диэлектрик 
610 1 |a металл-диэлектрик-полупроводник 
610 1 |a импеданс 
610 1 |a продольные эффекты 
610 1 |a кинетика 
610 1 |a фотопроводимость 
610 1 |a поверхностные состояния 
610 1 |a МДП-структуры 
675 |a 537.311.322:530.145  |v 4 
700 1 |a Овсюк  |b В. Н.  |g Виктор Николаевич 
702 1 |a Ржанов  |b А. В.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Сибирское отделение (СО)  |b Институт физики полупроводников (ИФП)  |c (Новосибирск)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11385 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20150211 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20171009  |g RCR 
942 |c BK