Технология и оборудование производства силовых полупроводниковых приборов, учебник для техникумов
| Auteur principal: | Булкин А. Д. Анатолий Дмитриевич |
|---|---|
| Autres auteurs: | Якивчик Н. И. Николай Иванович |
| Langue: | russe |
| Publié: |
Москва, Энергоатомиздат, 1984
|
| Sujets: | |
| Format: | Livre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=283543 |
Documents similaires
Основы теории полупроводниковых приборов
par: Пикус Г. Е. Григорий Езекиелевич
Publié: (Москва, Наука, 1965)
par: Пикус Г. Е. Григорий Езекиелевич
Publié: (Москва, Наука, 1965)
Изучение выпрямляющих свойств электронно-дырочного перехода учебно-методическое пособие
par: Владимирова Л. Н.
Publié: (Воронеж, ВГУ, 2019)
par: Владимирова Л. Н.
Publié: (Воронеж, ВГУ, 2019)
Моделирование состава стеклопокрытия для защиты p-n перехода
par: Нестеренко А. А.
Publié: (2023)
par: Нестеренко А. А.
Publié: (2023)
Физика полупроводниковых приборов
par: Гришаев В. Я.
Publié: (Саранск, МГУ им. Н.П. Огарева, 2020)
par: Гришаев В. Я.
Publié: (Саранск, МГУ им. Н.П. Огарева, 2020)
Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения
par: Гущин В. А.
Publié: (2012)
par: Гущин В. А.
Publié: (2012)
Лавинный пробой p-n - перехода в полупроводниках
par: Грехов И. В. Игорь Всеволодович
Publié: (Ленинград, Энергия, 1980)
par: Грехов И. В. Игорь Всеволодович
Publié: (Ленинград, Энергия, 1980)
Частотная модуляция с помощью емкостей p-n переходов
par: Чудаков И. М. Игорь Михайлович
Publié: (Москва, Связь, 1968)
par: Чудаков И. М. Игорь Михайлович
Publié: (Москва, Связь, 1968)
Общая физика полупроводников учебное пособие для вузов
par: Мейлихов Е. З. Евгений Залманович
Publié: (Москва, МФТИ, 2006)
par: Мейлихов Е. З. Евгений Залманович
Publié: (Москва, МФТИ, 2006)
Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем методические указания
par: Кольцов Г. И.
Publié: (Москва, МИСИС, 2001)
par: Кольцов Г. И.
Publié: (Москва, МИСИС, 2001)
Теория и расчет полупроводниковых приборов: Твердотельная электроника лабораторный практикум
par: Кольцов Г. И.
Publié: (Москва, МИСИС, 2010)
par: Кольцов Г. И.
Publié: (Москва, МИСИС, 2010)
Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп пер. с англ.
par: Маделунг О.
Publié: (Москва, Мир, 1967)
par: Маделунг О.
Publié: (Москва, Мир, 1967)
Полупроводниковые элементы электронных устройств
par: Орлов Г. А.
Publié: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
par: Орлов Г. А.
Publié: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
Физические основы электроники. Контакты металл–полупроводник учебно-методическое пособие
par: Дорогой С. В.
Publié: (Новосибирск, НГТУ, 2019)
par: Дорогой С. В.
Publié: (Новосибирск, НГТУ, 2019)
Распределение потенциала, поля и концентраций носителей тока в области сильного поля вплавленных p-n-переходов и pin-структур Ч. 1
par: Рябинкин Ю. С.
Publié: (1960)
par: Рябинкин Ю. С.
Publié: (1960)
Распределение потенциала, поля и концентраций носителей тока в области сильного поля вплавленных p-n-переходов и pin-структур Ч. 2
par: Рябинкин Ю. С.
Publié: (1960)
par: Рябинкин Ю. С.
Publié: (1960)
Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах
par: Зуев В. А. Владимир Алексеевич
Publié: (Москва, Советское радио, 1977)
par: Зуев В. А. Владимир Алексеевич
Publié: (Москва, Советское радио, 1977)
Электроника
par: Горбачев А. А.
Publié: (Калининград, БФУ им. И.Канта, 2022)
par: Горбачев А. А.
Publié: (Калининград, БФУ им. И.Канта, 2022)
Тонкие пленки и их применение материалы II республиканской конференции, Вильнюс, 2-4 декабря 1968 г.
Publié: (Вильнюс, [Б. и.], 1969)
Publié: (Вильнюс, [Б. и.], 1969)
Силовое полупроводниковое приборостроение сборник статей
Publié: (Москва, Энергия, 1980)
Publié: (Москва, Энергия, 1980)
Полупроводники-сегнетоэлектрики межвузовский сборник
Publié: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1984)
Publié: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1984)
Физика p - n-переходов
Publié: (Рига, Зинатне, 1966)
Publié: (Рига, Зинатне, 1966)
Пространства типа Соболева-Винера и асимптотические свойства их функций
par: Янов С. И.
Publié: (Барнаул, АлтГПУ, 2007)
par: Янов С. И.
Publié: (Барнаул, АлтГПУ, 2007)
Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]
par: Кудряшов В. Е.
Publié: (2003)
par: Кудряшов В. Е.
Publié: (2003)
Разработка составов стёкол для защиты p-n перехода
par: Комаров Д. В.
Publié: (2024)
par: Комаров Д. В.
Publié: (2024)
Технология производства полупроводниковых приборов
par: Гаврилов Р. А. Роман Александрович
Publié: (Ленинград, Энергия, 1968)
par: Гаврилов Р. А. Роман Александрович
Publié: (Ленинград, Энергия, 1968)
Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебник для академического бакалавриата
par: Старосельский В. И. Виктор Игоревич
Publié: (Москва, Юрайт, 2014)
par: Старосельский В. И. Виктор Игоревич
Publié: (Москва, Юрайт, 2014)
Полупроводниковые приборы и их применение учебное пособие
par: Астапенко Э. С.
Publié: (Томск, ТГАСУ, 2021)
par: Астапенко Э. С.
Publié: (Томск, ТГАСУ, 2021)
Электроника учебно-методическое пособие
par: Салахова А. Ш.
Publié: (Казань, КНИТУ-КАИ, 2020)
par: Салахова А. Ш.
Publié: (Казань, КНИТУ-КАИ, 2020)
Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах
par: Коршунов Ф. П. Федор Павлович
Publié: (Минск, Наука и техника, 1978)
par: Коршунов Ф. П. Федор Павлович
Publié: (Минск, Наука и техника, 1978)
Биполярный магнитотранзистор с базой в кармане
par: Козлов А. В.
Publié: (2004)
par: Козлов А. В.
Publié: (2004)
Функционализированные органические амнофосфорильные соединения
par: Газизов М. Б.
Publié: (Казань, КНИТУ, 2011)
par: Газизов М. Б.
Publié: (Казань, КНИТУ, 2011)
Термодинамика наноразмерных систем
par: Тарасевич Ю. Г.
Publié: (Гродно, ГрГУ им. Янки Купалы, 2022)
par: Тарасевич Ю. Г.
Publié: (Гродно, ГрГУ им. Янки Купалы, 2022)
Физико-химические свойства полупроводниковых материалов
par: Ермолаева В. И.
Publié: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006)
par: Ермолаева В. И.
Publié: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006)
Источники опорного напряжения и тока
par: Линден Т. Х.
Publié: (Москва, ДМК Пресс, 2015)
par: Линден Т. Х.
Publié: (Москва, ДМК Пресс, 2015)
Производство полупроводниковых приборов
par: Федоров Л. П. Лель Павлович
Publié: (Москва, Энергия, 1979)
par: Федоров Л. П. Лель Павлович
Publié: (Москва, Энергия, 1979)
Влияние температуры и времени на угол смачивания стеклом монокристалла кремния
par: Комаров Д. В.
Publié: (2024)
par: Комаров Д. В.
Publié: (2024)
Элементы оптоэлектроники учебное пособие
par: Богатиков Е. В.
Publié: (Воронеж, ВГУ, 2010)
par: Богатиков Е. В.
Publié: (Воронеж, ВГУ, 2010)
Исследование физико-химических свойств пленок боросиликатного стекла и процессов, происходящих при электрическом пробое в системе W -БСС - Si диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
par: Щерб С. Ш.
Publié: (Томск, [Б. и.], 1973)
par: Щерб С. Ш.
Publié: (Томск, [Б. и.], 1973)
Физика полупроводниковых приборов. Расчет параметров биполярных приборов. Сборник задач
par: Кольцов Г. И.
Publié: (Москва, МИСИС, 2012)
par: Кольцов Г. И.
Publié: (Москва, МИСИС, 2012)
Effect of N2 to total pressure ratio on the structure, mechanical and tribological properties of magnetron-sputtered Ti-Al-Ta-Si-N coatings
Publié: (2024)
Publié: (2024)
Documents similaires
-
Основы теории полупроводниковых приборов
par: Пикус Г. Е. Григорий Езекиелевич
Publié: (Москва, Наука, 1965) -
Изучение выпрямляющих свойств электронно-дырочного перехода учебно-методическое пособие
par: Владимирова Л. Н.
Publié: (Воронеж, ВГУ, 2019) -
Моделирование состава стеклопокрытия для защиты p-n перехода
par: Нестеренко А. А.
Publié: (2023) -
Физика полупроводниковых приборов
par: Гришаев В. Я.
Publié: (Саранск, МГУ им. Н.П. Огарева, 2020) -
Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения
par: Гущин В. А.
Publié: (2012)