• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Розширений
  • Технология и оборудование прои...
  • Цитувати
  • Відправити по sms
  • Відправити е-поштою
  • Друк
  • Експортувати запис
    • Екпортувати в RefWorks
    • Екпортувати в EndNoteWeb
    • Екпортувати в EndNote
  • Постійне посилання
Технология и оборудование производства силовых полупроводниковых приборов: учебник для техникумов

Технология и оборудование производства силовых полупроводниковых приборов: учебник для техникумов

Бібліографічні деталі
Автор: Булкин А. Д. Анатолий Дмитриевич
Інші автори: Якивчик Н. И. Николай Иванович
Мова:Російська
Опубліковано: Москва, Энергоатомиздат, 1984
Предмети:
Полупроводниковые приборы силовые > Производство
технология
оборудование
материалы
механическая отработка
химическая обработка
изготовление
p-n структуры
p-n переходы
диэлектрические пленки
кремний
фотолитография
защита
внешние воздействия
конструкции
сборка
учебные пособия
Формат: Книга
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=283543
  • Примірники
  • Опис
  • Схожі ресурси
  • Службовий вигляд
Опис
Фізичний опис:255 с. ил.

Схожі ресурси

  • Основы теории полупроводниковых приборов
    за авторством: Пикус Г. Е. Григорий Езекиелевич
    Опубліковано: (Москва, Наука, 1965)
  • Изучение выпрямляющих свойств электронно-дырочного перехода учебно-методическое пособие
    за авторством: Владимирова Л. Н.
    Опубліковано: (Воронеж, ВГУ, 2019)
  • Моделирование состава стеклопокрытия для защиты p-n перехода; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1
    за авторством: Нестеренко А. А.
    Опубліковано: (2023)
  • Физика полупроводниковых приборов
    за авторством: Гришаев В. Я.
    Опубліковано: (Саранск, МГУ им. Н.П. Огарева, 2020)
  • Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения; Современные техника и технологии; Т. 1
    за авторством: Гущин В. А.
    Опубліковано: (2012)