MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 277083
005 20231101235001.0
020 |a RU  |b 86-22215 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\300356 
090 |a 277083 
100 |a 20141128d1986 km y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a BY 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Воздействие радиации на интегральные микросхемы  |f Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов  |g Академия наук Белорусской ССР (АН БССР), Институт физики твердого тела и полупроводников 
210 |a Минск  |c Наука и техника  |d 1986 
215 |a 254 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 233-248 (325 назв.) 
320 |a Предм. указ.: с. 249-250 
606 1 |a Микросистемы  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\64466  |9 81360 
610 0 |a микроэлектронные схемы 
610 1 |a ионизирующие излучения 
610 1 |a радиация 
610 1 |a твердые тела 
610 1 |a облучение 
610 1 |a МДП 
610 1 |a прогнозирование 
675 |a 621.382.049  |z rus  |v 4 
700 1 |a Коршунов  |b Ф. П.  |g Федор Павлович  |4 070 
701 1 |a Богатырев  |b Ю. В. 
701 1 |a Вавилов  |b В. А. 
712 0 2 |a Академия наук Белорусской ССР (АН БССР)  |b Институт физики твердого тела и полупроводников  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11357 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20141128 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20171219  |g RCR 
942 |c BK