Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices

Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices

Sonraí bibleagrafaíochta
Rannpháirtithe:	Joannopoulos J. D. (редактор), Lucovsky G.
Teanga:	Béarla
Foilsithe / Cruthaithe:	Berlin, Springer-Verlag, 1984
Sraith:	Topics in Applied Physics Vol. 55
Ábhair:	Кремний > Физические основы аморфные полупроводники аморфный кремний физика свойства гидрогенизационные процессы английский язык
Formáid:	LEABHAR
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=274652

Míreanna comhchosúla

The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties
Foilsithe / Cruthaithe: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем
de réir: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Foilsithe / Cruthaithe: (Ташкент, Фан, 1989)

Карбид кремния
Foilsithe / Cruthaithe: (Киев, Гостехиздат, 1963)

Физика и применение аморфных полупроводников: пер. с англ.
de réir: Меден А. Арун
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Мир, 1991)

Аморфный кремний и родственные материалы: пер. с англ.
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Мир, 1991)

Вып. 1 : Структура, приготовление и приборы; Физика гидрогенизированного аморфного кремния
Foilsithe / Cruthaithe: (1987)

Вып. 2 : Электронные и колебательные свойства; Физика гидрогенизированного аморфного кремния
Foilsithe / Cruthaithe: (1988)

Влияние лазерной обработки на свойства плёнок аморфного кремния; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Foilsithe / Cruthaithe: (2011)

Моделирование аргон- силановой плазмы ВЧЕ разряда: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.08
de réir: Худайбергенов Г. Ж. Гамзат Жапарович
Foilsithe / Cruthaithe: (Омск, 2003)

Моделирование аргон-силановой плазмы ВЧЕ разряда: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.08
de réir: Худайбергенов Г. Ж. Гамзат Жапарович
Foilsithe / Cruthaithe: (Омск, [Б. и.], 2003)

Моделирование аргон-силановой плазмы ВЧЕ разряда: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
de réir: Худайбергенов Г. Ж. Гамзат Жапарович
Foilsithe / Cruthaithe: (Омск, [Б. и.], 2003)

Получение SiO2 из лейкоксеного концентрата фтораммонийным способом; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
de réir: Леонов Д. И.
Foilsithe / Cruthaithe: (2021)

Semiconducting Silicon Nanowires for Biomedical Applications
Foilsithe / Cruthaithe: (Amsterdam, Elsevier, 2014)

Trap Level Spectroscopy in Amorphous Semiconductors
de réir: Mikla V. I. Victor
Foilsithe / Cruthaithe: (Amsterdam, Elsevier, 2010)

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
de réir: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Наука, 1988)

Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth; Russian Physics Journal; Vol. 56, iss. 12
Foilsithe / Cruthaithe: (2014)

Введение в физику полупроводников: пер. с англ.
de réir: Данлэп У.
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1959)

Physics of amorphous materials
de réir: Elliott S. R.
Foilsithe / Cruthaithe: (London, Longman, 1983)

Электроника слоев SiO 2 на кремнии
de réir: Барабан А. П. Александр Петрович
Foilsithe / Cruthaithe: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1988)

Т. 14; Электроника
Foilsithe / Cruthaithe: (1982)

Светоизлучающие свойства перспективных нанокристаллических Si/SiC структур: учебно-методический комплекс
de réir: Костишко Б. М.
Foilsithe / Cruthaithe: (Ульяновск, УлГУ, 2006)

Ч. 2; Физика и технология полупроводниковых преобразователей энергии
Foilsithe / Cruthaithe: (2007)

Т. 2; Электронные процессы в некристаллических веществах
Foilsithe / Cruthaithe: (1982)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, Наука, 1981)

Т. 1; Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Электронная структура и свойства полупроводников
Foilsithe / Cruthaithe: (2004)

Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: пер. с англ.
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Мир, 1982)

Peculiarities of angular distribution of electrons at <100> channeling in silicon crystal; RReps'11. Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures
Foilsithe / Cruthaithe: (2011)

Измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в тонких пластинах полупроводниковых кристаллов; Приборы и техника эксперимента; № 2
de réir: Болесов И. А.
Foilsithe / Cruthaithe: (2003)

Т. 6: Соединения селена, теллура, кремния и бора; Общая органическая химия
Foilsithe / Cruthaithe: (1984)

Дефектно-примесные реакции в полупроводниках
de réir: Васильев А. В. Альберт Васильевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2001)

Porous articles with rigid structure based on natural amorphous silica; Glass and Ceramics; Vol. 75, iss. 1-2
Foilsithe / Cruthaithe: (2018)

Planar channelling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 732 : Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures (RREPS2015)
Foilsithe / Cruthaithe: (2016)

Silicon Carbide. Recent Major Advances
Foilsithe / Cruthaithe: (Pitsburgh, Springer, 2004)

Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation; Journal of Physics; Vol. 635
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

Planar and axial channeling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation; Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures. RREPS-15
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

Новые материалы электронной техники: межвузовский сборник научных трудов
Foilsithe / Cruthaithe: (Воронеж, Изд-во ВПИ, 1983)

Неорганические бескислородные соединения кремния: учебное пособие
de réir: Торопов Н. А. Никита Александрович
Foilsithe / Cruthaithe: (Ленинград, Изд-во ЛТИ, 1964)

Structure and phase composition of a chromium–silicon system modified by high current electron beams; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 6, № 1
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках
de réir: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, Наука, 1979)

Исследование влияния неоднородности характеристик исходного материала кремния на параметры фотоэлектрических преобразователей; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 314, № 2: Математика и механика. Физика
de réir: Лапатин Л. Г.
Foilsithe / Cruthaithe: (2009)