Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices
| অন্যান্য লেখক: | , |
|---|---|
| ভাষা: | ইংরেজি |
| প্রকাশিত: |
Berlin, Springer-Verlag, 1984
|
| মালা: | Topics in Applied Physics Vol. 55 |
| বিষয়গুলি: | |
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=274652 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties
প্রকাশিত: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)
প্রকাশিত: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)
Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем
অনুযায়ী: Харченко В. В. Валерий Владимирович
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1989)
অনুযায়ী: Харченко В. В. Валерий Владимирович
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1989)
Карбид кремния
প্রকাশিত: (Киев, Гостехиздат, 1963)
প্রকাশিত: (Киев, Гостехиздат, 1963)
Физика и применение аморфных полупроводников: пер. с англ.
অনুযায়ী: Меден А. Арун
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1991)
অনুযায়ী: Меден А. Арун
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1991)
Аморфный кремний и родственные материалы: пер. с англ.
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1991)
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1991)
Вып. 1 : Структура, приготовление и приборы; Физика гидрогенизированного аморфного кремния
প্রকাশিত: (1987)
প্রকাশিত: (1987)
Вып. 2 : Электронные и колебательные свойства; Физика гидрогенизированного аморфного кремния
প্রকাশিত: (1988)
প্রকাশিত: (1988)
Влияние лазерной обработки на свойства плёнок аморфного кремния; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
Моделирование аргон- силановой плазмы ВЧЕ разряда: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.08
অনুযায়ী: Худайбергенов Г. Ж. Гамзат Жапарович
প্রকাশিত: (Омск, 2003)
অনুযায়ী: Худайбергенов Г. Ж. Гамзат Жапарович
প্রকাশিত: (Омск, 2003)
Моделирование аргон-силановой плазмы ВЧЕ разряда: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.08
অনুযায়ী: Худайбергенов Г. Ж. Гамзат Жапарович
প্রকাশিত: (Омск, [Б. и.], 2003)
অনুযায়ী: Худайбергенов Г. Ж. Гамзат Жапарович
প্রকাশিত: (Омск, [Б. и.], 2003)
Моделирование аргон-силановой плазмы ВЧЕ разряда: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
অনুযায়ী: Худайбергенов Г. Ж. Гамзат Жапарович
প্রকাশিত: (Омск, [Б. и.], 2003)
অনুযায়ী: Худайбергенов Г. Ж. Гамзат Жапарович
প্রকাশিত: (Омск, [Б. и.], 2003)
Получение SiO2 из лейкоксеного концентрата фтораммонийным способом; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
অনুযায়ী: Леонов Д. И.
প্রকাশিত: (2021)
অনুযায়ী: Леонов Д. И.
প্রকাশিত: (2021)
Semiconducting Silicon Nanowires for Biomedical Applications
প্রকাশিত: (Amsterdam, Elsevier, 2014)
প্রকাশিত: (Amsterdam, Elsevier, 2014)
Trap Level Spectroscopy in Amorphous Semiconductors
অনুযায়ী: Mikla V. I. Victor
প্রকাশিত: (Amsterdam, Elsevier, 2010)
অনুযায়ী: Mikla V. I. Victor
প্রকাশিত: (Amsterdam, Elsevier, 2010)
Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
অনুযায়ী: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1988)
অনুযায়ী: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1988)
Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth; Russian Physics Journal; Vol. 56, iss. 12
প্রকাশিত: (2014)
প্রকাশিত: (2014)
Physics of amorphous materials
অনুযায়ী: Elliott S. R.
প্রকাশিত: (London, Longman, 1983)
অনুযায়ী: Elliott S. R.
প্রকাশিত: (London, Longman, 1983)
Введение в физику полупроводников: пер. с англ.
অনুযায়ী: Данлэп У.
প্রকাশিত: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1959)
অনুযায়ী: Данлэп У.
প্রকাশিত: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1959)
Т. 14; Электроника
প্রকাশিত: (1982)
প্রকাশিত: (1982)
Электроника слоев SiO 2 на кремнии
অনুযায়ী: Барабан А. П. Александр Петрович
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1988)
অনুযায়ী: Барабан А. П. Александр Петрович
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1988)
Светоизлучающие свойства перспективных нанокристаллических Si/SiC структур: учебно-методический комплекс
অনুযায়ী: Костишко Б. М.
প্রকাশিত: (Ульяновск, УлГУ, 2006)
অনুযায়ী: Костишко Б. М.
প্রকাশিত: (Ульяновск, УлГУ, 2006)
Ч. 2; Физика и технология полупроводниковых преобразователей энергии
প্রকাশিত: (2007)
প্রকাশিত: (2007)
Peculiarities of angular distribution of electrons at <100> channeling in silicon crystal; RReps'11. Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
Porous articles with rigid structure based on natural amorphous silica; Glass and Ceramics; Vol. 75, iss. 1-2
প্রকাশিত: (2018)
প্রকাশিত: (2018)
Т. 2; Электронные процессы в некристаллических веществах
প্রকাশিত: (1982)
প্রকাশিত: (1982)
Легирование полупроводников методом ядерных реакций
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1981)
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1981)
Т. 1; Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Электронная структура и свойства полупроводников
প্রকাশিত: (2004)
প্রকাশিত: (2004)
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: пер. с англ.
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1982)
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1982)
Измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в тонких пластинах полупроводниковых кристаллов; Приборы и техника эксперимента; № 2
অনুযায়ী: Болесов И. А.
প্রকাশিত: (2003)
অনুযায়ী: Болесов И. А.
প্রকাশিত: (2003)
Т. 6: Соединения селена, теллура, кремния и бора; Общая органическая химия
প্রকাশিত: (1984)
প্রকাশিত: (1984)
Planar channelling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 732 : Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures (RREPS2015)
প্রকাশিত: (2016)
প্রকাশিত: (2016)
Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation; Journal of Physics; Vol. 635
প্রকাশিত: (2015)
প্রকাশিত: (2015)
Дефектно-примесные реакции в полупроводниках
অনুযায়ী: Васильев А. В. Альберт Васильевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2001)
অনুযায়ী: Васильев А. В. Альберт Васильевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2001)
Silicon Carbide. Recent Major Advances
প্রকাশিত: (Pitsburgh, Springer, 2004)
প্রকাশিত: (Pitsburgh, Springer, 2004)
Planar and axial channeling of relativistic electrons in half-wave silicon crystal and corresponding radiation; Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures. RREPS-15
প্রকাশিত: (2015)
প্রকাশিত: (2015)
Structure and phase composition of a chromium–silicon system modified by high current electron beams; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 6, № 1
প্রকাশিত: (2012)
প্রকাশিত: (2012)
Новые материалы электронной техники: межвузовский сборник научных трудов
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во ВПИ, 1983)
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во ВПИ, 1983)
Неорганические бескислородные соединения кремния: учебное пособие
অনুযায়ী: Торопов Н. А. Никита Александрович
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛТИ, 1964)
অনুযায়ী: Торопов Н. А. Никита Александрович
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛТИ, 1964)
The surface alloying effect of silicon in a binary NiTi-base alloy on the corrosion resistance and biocompatibility of the material; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 9
প্রকাশিত: (2013)
প্রকাশিত: (2013)
Silicon-on-insulator (SOI) Technology: Manufacture and Applications
প্রকাশিত: (Amsterdam, Elsevier, 2014)
প্রকাশিত: (Amsterdam, Elsevier, 2014)