Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices

Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices

ग्रंथसूची विवरण
अन्य लेखक:	Joannopoulos J. D. (340), Lucovsky G.
भाषा:	अंग्रेज़ी
प्रकाशित:	Berlin, Springer-Verlag, 1984
श्रृंखला:	Topics in Applied Physics Vol. 55
विषय:	Кремний > Физические основы аморфные полупроводники аморфный кремний физика свойства гидрогенизационные процессы английский язык
स्वरूप:	पुस्तक
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=274652

समान संसाधन

The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties
प्रकाशित: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем
द्वारा: Харченко В. В. Валерий Владимирович
प्रकाशित: (Ташкент, Фан, 1989)

Карбид кремния
प्रकाशित: (Киев, Гостехиздат, 1963)

Физика и применение аморфных полупроводников пер. с англ.
द्वारा: Меден А. Арун
प्रकाशित: (Москва, Мир, 1991)

Аморфный кремний и родственные материалы пер. с англ.
प्रकाशित: (Москва, Мир, 1991)

Влияние лазерной обработки на свойства плёнок аморфного кремния
प्रकाशित: (2011)

Моделирование аргон-силановой плазмы ВЧЕ разряда автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
द्वारा: Худайбергенов Г. Ж. Гамзат Жапарович
प्रकाशित: (Омск, [Б. и.], 2003)

Получение SiO2 из лейкоксеного концентрата фтораммонийным способом
द्वारा: Леонов Д. И.
प्रकाशित: (2021)

Physics of amorphous materials
द्वारा: Elliott S. R.
प्रकाशित: (London, Longman, 1983)

Semiconducting Silicon Nanowires for Biomedical Applications
प्रकाशित: (Amsterdam, Elsevier, 2014)

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
द्वारा: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1988)

Trap Level Spectroscopy in Amorphous Semiconductors
द्वारा: Mikla V. I. Victor
प्रकाशित: (Amsterdam, Elsevier, 2010)

Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth
प्रकाशित: (2014)

Введение в физику полупроводников пер. с англ.
द्वारा: Данлэп У.
प्रकाशित: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1959)

Ч. 2
प्रकाशित: (2007)

Т. 14
प्रकाशित: (1982)

Porous articles with rigid structure based on natural amorphous silica
प्रकाशित: (2018)

Т. 2
प्रकाशित: (1982)

Светоизлучающие свойства перспективных нанокристаллических Si/SiC структур учебно-методический комплекс
द्वारा: Костишко Б. М.
प्रकाशित: (Ульяновск, УлГУ, 2006)

Т. 1
प्रकाशित: (2004)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
प्रकाशित: (Новосибирск, Наука, 1981)

Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников пер. с англ.
प्रकाशित: (Москва, Мир, 1982)

Измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в тонких пластинах полупроводниковых кристаллов
द्वारा: Болесов И. А.
प्रकाशित: (2003)

Physical and biological properties of silicon nanopowders obtained by the chemicothermal method
प्रकाशित: (2013)

Structure and phase composition of a chromium–silicon system modified by high current electron beams
प्रकाशित: (2012)

Т. 6: Соединения селена, теллура, кремния и бора
प्रकाशित: (1984)

Combined Steel Treatment with Calcium-Silicon
प्रकाशित: (2015)

Новые материалы электронной техники межвузовский сборник научных трудов
प्रकाशित: (Воронеж, Изд-во ВПИ, 1983)

Peculiarities of angular distribution of electrons at <100> channeling in silicon crystal
प्रकाशित: (2011)

Silicon Carbide. Recent Major Advances
प्रकाशित: (Pitsburgh, Springer, 2004)

Неорганические бескислородные соединения кремния учебное пособие
द्वारा: Торопов Н. А. Никита Александрович
प्रकाशित: (Ленинград, Изд-во ЛТИ, 1964)

Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках
द्वारा: Александров Л. Н. Леонид Наумович
प्रकाशित: (Новосибирск, Наука, 1979)

Исследование влияния неоднородности характеристик исходного материала кремния на параметры фотоэлектрических преобразователей
द्वारा: Лапатин Л. Г.
प्रकाशित: (2009)

Физические основы образования глубоких уровней в кремнии
द्वारा: Зайнабидинов С.
प्रकाशित: (Ташкент, Фан, 1984)

Проблемы физики поверхности полупроводников
प्रकाशित: (Киев, Наукова думка, 1981)

The Phase Composition and Structure of Silicon-Carbon Coatings
प्रकाशित: (2019)

Formation of the silicon coating on the NiTi substrate by magnetron sputteringi
द्वारा: Luchin A. V.
प्रकाशित: (2019)

Исследование квазиравновесной индуцированной фотопроводимости в слабо компенсированном примесном кремнии
द्वारा: Зыков В. М. Владимир Михайлович
प्रकाशित: (2008)

Основы физики полупроводников учебное пособие для техникумов
द्वारा: Гаврилов Р. А. Роман Александрович
प्रकाशित: (Москва, Машиностроение, 1966)

Физические явления в кремнии, легированном элементами платиновой группы
द्वारा: Юнусов М. С. Махамаджан Сабирович
प्रकाशित: (Ташкент, Фан, 1983)