• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Udvidet
  • Nhe Physics of Hydrogenated Am...
  • Citér dette
  • Stav dette
  • Email dette
  • Udskriv
  • Eksportér post
    • Eksportér til RefWorks
    • Eksportér til EndNoteWeb
    • Eksportér til EndNote
  • Permanent link
Eksport udført — 
Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices

Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices

Bibliografiske detaljer
Andre forfattere: Joannopoulos J. D. (редактор), Lucovsky G.
Sprog:engelsk
Udgivet: Berlin, Springer-Verlag, 1984
Serier:Topics in Applied Physics Vol. 55
Fag:
Кремний > Физические основы
аморфные полупроводники
аморфный кремний
физика
свойства
гидрогенизационные процессы
английский язык
Format: Bog
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=274652
  • Beholdninger
  • Beskrivelse
  • Lignende værker
  • Medarbejdervisning

Lignende værker

  • The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties
    Udgivet: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)
  • Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем
    af: Харченко В. В. Валерий Владимирович
    Udgivet: (Ташкент, Фан, 1989)
  • Карбид кремния
    Udgivet: (Киев, Гостехиздат, 1963)
  • Физика и применение аморфных полупроводников: пер. с англ.
    af: Меден А. Арун
    Udgivet: (Москва, Мир, 1991)
  • Аморфный кремний и родственные материалы: пер. с англ.
    Udgivet: (Москва, Мир, 1991)