|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
274200 |
| 005 |
20231101234714.0 |
| 020 |
|
|
|a RU
|b 87-85115
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\297410
|
| 090 |
|
|
|a 274200
|
| 100 |
|
|
|a 20141031d1987 km y0rusy5003 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 000zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Барьеры от кристалла до интегральной схемы
|f М. Е. Левинштейн, Г. С. Симин
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Наука
|d 1987
|
| 215 |
|
|
|a 317,[2] с.
|c ил.
|
| 225 |
1 |
|
|a Библиотечка "Квант"
|v Выпю 65
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|x Электронная теория
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50639
|9 69291
|
| 610 |
1 |
|
|a электронная теория
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые приборы
|
| 610 |
1 |
|
|a электроны
|
| 610 |
1 |
|
|a дырки
|
| 610 |
1 |
|
|a дырочная проводимость
|
| 610 |
1 |
|
|a барьеры
|
| 610 |
1 |
|
|a энергетические барьеры
|
| 610 |
1 |
|
|a параметры
|
| 610 |
1 |
|
|a транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a биполярные транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a полевые транзисторы
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322:530.145
|z rus
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Левинштейн
|b М. Е.
|g Михаил Ефимович
|4 070
|
| 701 |
|
1 |
|a Симин
|b Г. С.
|g Григорий Соломонович
|4 070
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b RuMRKP
|c 19950417
|g psbo
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20141031
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20160128
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|