MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 274200
005 20231101234714.0
020 |a RU  |b 87-85115 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\297410 
090 |a 274200 
100 |a 20141031d1987 km y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 000zy 
200 1 |a Барьеры от кристалла до интегральной схемы  |f М. Е. Левинштейн, Г. С. Симин 
210 |a Москва  |c Наука  |d 1987 
215 |a 317,[2] с.  |c ил. 
225 1 |a Библиотечка "Квант"  |v Выпю 65 
606 1 |a Полупроводники  |x Электронная теория  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50639  |9 69291 
610 1 |a электронная теория 
610 1 |a полупроводниковые приборы 
610 1 |a электроны 
610 1 |a дырки 
610 1 |a дырочная проводимость 
610 1 |a барьеры 
610 1 |a энергетические барьеры 
610 1 |a параметры 
610 1 |a транзисторы 
610 1 |a биполярные транзисторы 
610 1 |a полевые транзисторы 
675 |a 537.311.322:530.145  |z rus  |v 3 
700 1 |a Левинштейн  |b М. Е.  |g Михаил Ефимович  |4 070 
701 1 |a Симин  |b Г. С.  |g Григорий Соломонович  |4 070 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950417  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20141031 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160128  |g RCR 
942 |c BK