MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 27312
005 20250225063224.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\27561 
035 |a BOOK00027636 
090 |a 27312 
100 |a 20011209d2001 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a y dm 000zy 
200 1 |a Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение  |e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук  |f А. А. Вилисов  |g Томский государственный университет 
210 |a Томск  |c [Б. и.]  |d 2001 
215 |a 37 с. 
320 |a Библиогр.: с. 32-37. 
610 1 |a электроника 
610 1 |a излучающие диоды 
610 1 |a мощные излучающие диоды 
610 1 |a эпитаксиальные структуры 
610 1 |a светоизлучающие диоды 
610 1 |a светодиодные аппараты 
610 1 |a физиотерапевтические аппараты 
610 1 |a поверхностное воздействие 
610 1 |a внутриполостная физиотерапия 
610 1 |a авторефераты диссертаций 
675 |a 621.383.52(04)  |v 3 
700 1 |a Вилисов  |b А. А.  |g Анатолий Александрович 
712 0 2 |a Томский государственный университет  |c 1917-2009  |7 ca  |8 rus  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\397  |9 23396 
801 0 |a RU  |b 63413507  |c 20011209  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20040430  |g PSBO 
942 |c BK