|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
270852 |
| 005 |
20231101234401.0 |
| 020 |
|
|
|a RU
|b 87-28315ж
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\294033
|
| 090 |
|
|
|a 270852
|
| 100 |
|
|
|a 20141002d1987 k y0rusy5003 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Электронные процессы в запоминающих многослойных структурах
|f Академия наук СССР (АН СССР), Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН) ; отв. ред. А. Ф. Плотников
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Наука
|d 1987
|
| 215 |
|
|
|a 160 с.
|c ил.
|d 26 см
|
| 225 |
1 |
|
|a Труды физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН)
|v Т. 184
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр. в конце статей
|
| 606 |
1 |
|
|a Запоминающие устройства оптоэлектронные
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\11345
|9 38294
|
| 610 |
1 |
|
|a запоминающие устройства
|
| 610 |
1 |
|
|a МДП-структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a электронные процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a переходные электронные процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a аморфные диэлектрические слои
|
| 610 |
1 |
|
|a явления переноса
|
| 610 |
1 |
|
|a перенос
|
| 610 |
1 |
|
|a электронные явления
|
| 610 |
1 |
|
|a заряды
|
| 610 |
1 |
|
|a инжекция
|
| 610 |
1 |
|
|a память
|
| 610 |
1 |
|
|a деградационные процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a релаксация
|
| 610 |
1 |
|
|a центры захвата
|
| 610 |
1 |
|
|a перезарядка
|
| 610 |
1 |
|
|a термоактивационный анализ
|
| 675 |
|
|
|a 681.327.67
|z rus
|v 3
|
| 702 |
|
1 |
|a Плотников
|b А. Ф.
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук СССР (АН СССР)
|b Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН)
|c (Москва)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\13766
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b RuMRKP
|c 19950417
|g psbo
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20141002
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20210723
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
