• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Aurreratua
  • Вхождение примесных центров в...
  • Erreferentzia bihurtu
  • SMS
  • Bidali
  • Imprimir
  • Erregistroa esportatu
    • Nora RefWorks
    • Nora EndNoteWeb
    • Nora EndNote
  • Permanent link
Esportazioa burutua — 
Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника (процессы образования монокристаллических слоев для микроэлектроники)

Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника (процессы образования монокристаллических слоев для микроэлектроники)

Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia: Смородина Т. А. Татьяна Александровна
Egile korporatiboa: Академия наук СССР (АН СССР) Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ), Академия наук СССР (АН СССР) Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова (ИК)
Beste egile batzuk: Шефталь Н. Н. Николай Наумович (редактор), Цуранов А. П. Александр Павлович, Смирнов И. А.
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: Ленинград, Наука, 1986
Gaiak:
Полупроводники > Примесные центры
кристаллы
получение
материалы
кристаллография
энергетические спектры
кристаллическая структура
дефекты
координационные многогранники
перестройка
комплексообразование
сегрегация
выращивание
полупроводниковые слои
Formatua: Liburua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=269534
  • Aleari buruzko argibideak
  • Deskribapena
  • Antzeko izenburuak
  • MARC erregistroa

Antzeko izenburuak

  • Низкочастотные резонансы экситонов и примесных центров
    nork: Жеру И. И. Иван Иванович
    Argitaratua: (Кишинев, Штиинца, 1976)
  • Спектроскопия кислородных и водородных примесных центров в щелочно-галоидных кристаллах
    nork: Егранов А. В. Александр Васильевич
    Argitaratua: (Новосибирск, Наука, 1992)
  • Теория примесных сверхпроводников под давлением
    nork: Палистрант М. Е. Мария Еремеевна
    Argitaratua: (Кишинев, Штиинца, 1980)
  • Образование и кинетика распада примесных преципитато никеля в кремнии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 12
    nork: Зайнабидинов С. З.
    Argitaratua: (2004)
  • Распределение примесных ионов в поверхностных слоях диэлектриков, модифицированных ионными пучками; Перспективы развития фундаментальных наук
    nork: Перминов А. А.
    Argitaratua: (2015)