MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 269534
005 20231101234249.0
020 |a RU  |b 86-50451 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\292711 
090 |a 269534 
100 |a 20140919d1986 k y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника (процессы образования монокристаллических слоев для микроэлектроники)  |f Т. А. Смородина, Н. Н. Шефталь, А. П. Цуранов  |g Академия наук СССР (АН СССР), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Академия наук СССР (АН СССР), Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова (ИК) ; отв. ред. И. А. Смирнов 
210 |a Ленинград  |c Наука  |d 1986 
215 |a 176 с.  |c ил.  |d 22 см 
320 |a Библиогр.: с. 161-171 (180 назв.) 
606 1 |a Полупроводники  |x Примесные центры  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50570  |9 69223 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a получение 
610 1 |a материалы 
610 1 |a кристаллография 
610 1 |a энергетические спектры 
610 1 |a кристаллическая структура 
610 1 |a дефекты 
610 1 |a координационные многогранники 
610 1 |a перестройка 
610 1 |a комплексообразование 
610 1 |a сегрегация 
610 1 |a выращивание 
610 1 |a полупроводниковые слои 
675 |a 621.315.592.002  |z rus  |v 3 
700 1 |a Смородина  |b Т. А.  |g Татьяна Александровна  |4 070 
701 1 |a Шефталь  |b Н. Н.  |g Николай Наумович 
701 1 |a Цуранов  |b А. П.  |g Александр Павлович 
702 1 |a Смирнов  |b И. А.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)  |c (Ленинград)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\12056 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова (ИК)  |c (Москва)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11554 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140919 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20161201  |g RCR 
942 |c BK