|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
268183 |
| 005 |
20231101234138.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\291315
|
| 090 |
|
|
|a 268183
|
| 100 |
|
|
|a 20140828d1986 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a UZ
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур
|e [монография]
|f В. И. Корольков, Н. Рахимов
|g Наманганский государственный педагогический институт ; отв. ред. Ж. И. Алферов
|
| 210 |
|
|
|a Ташкент
|c Фан
|d 1986
|
| 215 |
|
|
|a 152 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 139-151.
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводниковые приборы
|x Физика
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50708
|9 69358
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a гетеропереходы
|
| 610 |
1 |
|
|a многослойные эпитаксиальные гетероструктуры
|
| 610 |
1 |
|
|a получение
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a биполярные транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a полевые транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a тиристоры
|
| 675 |
|
|
|a 621.382:53
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Корольков
|b В. И.
|g Владимир Ильич
|
| 701 |
|
1 |
|a Рахимов
|b Н.
|g Найимжан
|
| 702 |
|
1 |
|a Алферов
|b Ж. И.
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Наманганский государственный педагогический институт
|c (1955-1992)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\17533
|9 26681
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20140828
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20151126
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
