MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 267805
005 20231101234118.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\290892 
090 |a 267805 
100 |a 20140807d1987 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a MD 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах  |f С. В. Булярский  |g Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо ; под ред. С. И. Радауцана 
210 |a Кишинев  |c Штиинца  |d 1987 
215 |a 104 с. 
320 |a Библиогр.: с. 90-100 
606 1 |a Приемники излучения полупроводниковые  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\51659  |9 70232 
610 1 |a рекомбинационные центры 
610 1 |a носители заряда 
610 1 |a изотермическая генерация 
610 1 |a кинетика 
610 1 |a светоизлучающие структуры 
610 1 |a токи 
610 1 |a точечные дефекты 
610 1 |a термодинамическое равновесие 
610 1 |a противоположно заряженные дефекты 
610 1 |a комплексы 
610 1 |a распад 
675 |a 621.383.049  |v 3 
700 1 |a Булярский  |b С. В.  |g Сергей Викторович 
702 1 |a Радауцан  |b С. И.  |4 340 
712 0 2 |a Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\4164  |9 23937 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140807 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160912  |g RCR 
942 |c BK