Электронные свойства дислокаций в полупроводниках

Bibliographic Details
Other Authors: Осипьян Ю. А. Юрий Андреевич (редактор)
Summary:Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях А2В6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю. А. Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Language:Russian
Published: Москва, Эдиториал УРСС, 2000
Subjects:
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=26559

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 26559
005 20231030201657.0
010 |a 5836000689 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\26803 
035 |a BOOK00026878 
090 |a 26559 
100 |a 20011209d2000 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Электронные свойства дислокаций в полупроводниках  |f Под ред. Ю. А. Осипьяна 
210 |a Москва  |c Эдиториал УРСС  |d 2000 
215 |a 319 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 311-312. 
320 |a Предм. указ.: с. 313-315. 
330 |a Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях А2В6. Книга выполнена в виде нескольких обзорных статей, написанных академиком Ю. А. Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся в области физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей. 
610 1 |a физика 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a электронные свойства 
610 1 |a дислокации 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a кремний 
610 1 |a германий 
610 1 |a структурные дефекты 
610 1 |a деформированные структуры 
610 1 |a оптические свойства 
610 1 |a полупроводниковые соединения 
610 1 |a дефекты 
610 1 |a примеси 
675 |a 537.311.322:539  |v 3 
702 1 |a Осипьян  |b Ю. А.  |g Юрий Андреевич  |4 340 
801 0 |a RU  |b 63413507  |c 20011209  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20100503  |g RCR 
942 |c BK