MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 263219
005 20231101233723.0
020 |a RU  |b 80-53767 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\286204 
090 |a 263219 
100 |a 20140606d1980 k y0rusy5003 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UA 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Основы физики полупроводниковых слоистых систем  |f В. Г. Литовченко  |g Академия наук Украинской ССР (АН УССР), Институт полупроводников (ИП) 
210 |a Киев  |c Наукова думка  |d 1980 
215 |a 283 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 251-280. 
606 1 |a Полупроводники слоистые  |x Физика  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50658  |9 69310 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a химическая связь 
610 1 |a расчет 
610 1 |a слоистые структуры 
610 1 |a контактные явления 
610 1 |a двумерные эффекты 
610 1 |a квазидвумерные эффекты 
610 1 |a характеристики 
610 1 |a нерадиационные моды 
610 1 |a приборные системы 
675 |a 537.311.322  |v 3 
700 1 |a Литовченко  |b В. Г.  |g Владимир Григорьевич 
712 0 2 |a Академия наук Украинской ССР (АН УССР)  |b Институт полупроводников (ИП)  |c (Киев)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\12057 
801 0 |a RU  |b RuMRKP  |c 19950704  |g psbo 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140606 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20200302  |g RCR 
942 |c BK