Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов. Полупроводниковые материалы IX
| निगमित लेखक: | Таллинский политехнический институт (ТПИ) |
|---|---|
| भाषा: | रूसी |
| प्रकाशित: |
Таллин, Изд-во ТПИ, 1988
|
| श्रृंखला: | Труды Таллинского политехнического института вып. 659 |
| विषय: | |
| स्वरूप: | पुस्तक |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=263104 |
समान संसाधन
Разработка методов и средств измерений параметров полупроводниковых материалов и структур: Отчет о НИР; Тема: 10-36/89
प्रकाशित: (Томск, 1990)
प्रकाशित: (Томск, 1990)
Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
प्रकाशित: (Москва, Советское радио, 1972)
प्रकाशित: (Москва, Советское радио, 1972)
Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
द्वारा: Харченко В. В. Валерий Владимирович
प्रकाशित: (Ташкент, Фан, 1979)
द्वारा: Харченко В. В. Валерий Владимирович
प्रकाशित: (Ташкент, Фан, 1979)
Физика полупроводниковых материалов: межвузовский тематический сборник
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МЭИ, 1985)
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МЭИ, 1985)
Физика полупроводниковых материалов и приборов: тематический сборник
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МЭИ, 1980)
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МЭИ, 1980)
Semiconductor Nanocrystals. From Basic Principles to Applications
प्रकाशित: (New York, Kluwer Academic Publishers, 2003)
प्रकाशित: (New York, Kluwer Academic Publishers, 2003)
Полупроводниковые материалы: учебное пособие для вузов
द्वारा: Коновалов О. М. Олег Михайлович
प्रकाशित: (Харьков, Изд-во Харьковского ун-та, 1963)
द्वारा: Коновалов О. М. Олег Михайлович
प्रकाशित: (Харьков, Изд-во Харьковского ун-та, 1963)
Физика полупроводниковых материалов и приборов: тематический сборник
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МЭИ, 1983)
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МЭИ, 1983)
Полупроводниковые соединения: сборник научных трудов
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1981)
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1981)
Вып. 40; Диэлектрики и полупроводники
प्रकाशित: (1991)
प्रकाशित: (1991)
Т. 11; Электроника и ее применение
प्रकाशित: (1979)
प्रकाशित: (1979)
Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
द्वारा: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
प्रकाशित: (Томск, 2010)
द्वारा: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
प्रकाशित: (Томск, 2010)
Технология полупроводниковых материалов: [учебное пособие]
द्वारा: Акчурин Р. Х. Рауф Хамзинович
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МИХМ, 1985)
द्वारा: Акчурин Р. Х. Рауф Хамзинович
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МИХМ, 1985)
Механическая обработка полупроводниковых материалов
द्वारा: Бочкин О. И. Олег Иванович
प्रकाशित: (Москва, Высшая школа, 1983)
द्वारा: Бочкин О. И. Олег Иванович
प्रकाशित: (Москва, Высшая школа, 1983)
Получение наночастиц сульфидов кадмия и свинца фотохимическим методом; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
द्वारा: Егоров Н. Б. Николай Борисович
प्रकाशित: (2004)
द्वारा: Егоров Н. Б. Николай Борисович
प्रकाशित: (2004)
Технология полупроводниковых материалов: учебное пособие
द्वारा: Александров С. Е. Сергей Евгеньевич
प्रकाशित: (СПб., Лань, 2012)
द्वारा: Александров С. Е. Сергей Евгеньевич
प्रकाशित: (СПб., Лань, 2012)
Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
द्वारा: Сытенко Т. Н.
प्रकाशित: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)
द्वारा: Сытенко Т. Н.
प्रकाशित: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)
Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
द्वारा: Войцеховский А. В.
प्रकाशित: (2000)
द्वारा: Войцеховский А. В.
प्रकाशित: (2000)
Люминесценция и нелинейная оптика
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1972)
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1972)
A complex of spectrochemical, mass-spectrometric and atomic-absorption methods for the analysis of thin layers of gallium arsenide and silicon semiconductors: [offprint]
द्वारा: Yudelevich I. G.
प्रकाशित: (Vienna, Springer-Verlag, 1978)
द्वारा: Yudelevich I. G.
प्रकाशित: (Vienna, Springer-Verlag, 1978)
Gallium arsenide digital integrated circuit design
द्वारा: Long Stephen I
प्रकाशित: (New York, McGraw-Hill, 1990)
द्वारा: Long Stephen I
प्रकाशित: (New York, McGraw-Hill, 1990)
Физика полупроводниковых материалов и приборов: тематический сборник
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МЭИ, 1981)
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МЭИ, 1981)
Обработка полупроводниковых материалов: монография
प्रकाशित: (Киев, Наукова думка, 1982)
प्रकाशित: (Киев, Наукова думка, 1982)
Управление составом полупроводниковых кристаллов
द्वारा: Романенко В. Н. Владимир Николаевич
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1976)
द्वारा: Романенко В. Н. Владимир Николаевич
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1976)
Вынужденное излучение в кристаллах сульфида кадмия при высоких уровнях возбуждения; Современные техника и технологии; Т. 2
द्वारा: Лысык В. В.
प्रकाशित: (2011)
द्वारा: Лысык В. В.
प्रकाशित: (2011)
Спектрально-кинетические характеристики донорно-акцепторных пар в кристаллах сульфида кадмия и селенида цинка; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
प्रकाशित: (2011)
प्रकाशित: (2011)
Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
द्वारा: Каплан Б. Я.
प्रकाशित: (Москва, [Б. и.], 1969)
द्वारा: Каплан Б. Я.
प्रकाशित: (Москва, [Б. и.], 1969)
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
द्वारा: Александрова О. А.
प्रकाशित: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
द्वारा: Александрова О. А.
प्रकाशित: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1973)
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1973)
Фотолюминесценция композитов на основе полиметилметакрилата и наноразмерных частиц легированных сульфидов цинка и кадмия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
द्वारा: Исаева А. А. Анастасия Александровна
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2022)
द्वारा: Исаева А. А. Анастасия Александровна
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2022)
Физические процессы в соединениях типа АПВУ I
प्रकाशित: (Тарту, 1972)
प्रकाशित: (Тарту, 1972)
Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
द्वारा: Толбанов О. П.
प्रकाशित: (2003)
द्वारा: Толбанов О. П.
प्रकाशित: (2003)
Composition andband gap tailoring of crestalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires for enhanced photoelectrochemical performance; Inorganic Chemistry; Vol. 57, iss. 9
प्रकाशित: (2018)
प्रकाशित: (2018)
Obtaining of nanoparticles of СdS by photolysis of NA4CDS2O33 aqueous solutions; Методология проектирования молодежного научно-инновационного пространства как основа подготовки современного инженера
द्वारा: Obmuch K. V.
प्रकाशित: (2014)
द्वारा: Obmuch K. V.
प्रकाशित: (2014)
Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
द्वारा: Сараева В. Е.
प्रकाशित: (1989)
द्वारा: Сараева В. Е.
प्रकाशित: (1989)
Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
द्वारा: Семенова В. И. Валерия Игоревна
प्रकाशित: (2018)
द्वारा: Семенова В. И. Валерия Игоревна
प्रकाशित: (2018)
Влияние микроволнового излучения на приместно-дефектные состояния высокоомных монокристаллов CdTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
प्रकाशित: (2011)
प्रकाशित: (2011)
Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
द्वारा: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
प्रकाशित: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
द्वारा: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
प्रकाशित: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
द्वारा: Пешев В. В. Владимир Викторович
प्रकाशित: (Томск, 1999)
द्वारा: Пешев В. В. Владимир Викторович
प्रकाशित: (Томск, 1999)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
प्रकाशित: (2014)
प्रकाशित: (2014)
समान संसाधन
-
Разработка методов и средств измерений параметров полупроводниковых материалов и структур: Отчет о НИР; Тема: 10-36/89
प्रकाशित: (Томск, 1990) -
Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
प्रकाशित: (Москва, Советское радио, 1972) -
Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
द्वारा: Харченко В. В. Валерий Владимирович
प्रकाशित: (Ташкент, Фан, 1979) -
Физика полупроводниковых материалов: межвузовский тематический сборник
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МЭИ, 1985) -
Физика полупроводниковых материалов и приборов: тематический сборник
प्रकाशित: (Москва, Изд-во МЭИ, 1980)