Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов. Полупроводниковые материалы IX

Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов. Полупроводниковые материалы IX

Detaylı Bibliyografya
Müşterek Yazar:	Таллинский политехнический институт (ТПИ)
Dil:	Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi:	Таллин, Изд-во ТПИ, 1988
Seri Bilgileri:	Труды Таллинского политехнического института вып. 659
Konular:	Полупроводниковые материалы > Параметры > Измерение Диэлектрики > Физика никель арсенид галлия химическое осаждение термообработка контактный слой структура межфазные реакции электронная микроскопия электрохимическое травление сульфид кадмия краевое излучение фотолюминесценция порошки отжиг примеси химический анализ изотермическая рекристаллизация дефектообразование вакуумное напыление фотоаноды пленки
Materyal Türü:	Kitap
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=263104

Benzer Materyaller

Разработка методов и средств измерений параметров полупроводниковых материалов и структур: Отчет о НИР; Тема: 10-36/89
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1990)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Советское радио, 1972)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
Yazar:: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Ташкент, Фан, 1979)

Физика полупроводниковых материалов и приборов: тематический сборник
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Изд-во МЭИ, 1980)

Физика полупроводниковых материалов: межвузовский тематический сборник
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Изд-во МЭИ, 1985)

Физика полупроводниковых материалов и приборов: тематический сборник
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Изд-во МЭИ, 1983)

Semiconductor Nanocrystals. From Basic Principles to Applications
Baskı/Yayın Bilgisi: (New York, Kluwer Academic Publishers, 2003)

Полупроводниковые материалы: учебное пособие для вузов
Yazar:: Коновалов О. М. Олег Михайлович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Харьков, Изд-во Харьковского ун-та, 1963)

Полупроводниковые соединения: сборник научных трудов
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Изд-во МИЭТ, 1981)

Вып. 40; Диэлектрики и полупроводники
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Yazar:: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 2010)

Т. 11; Электроника и ее применение
Baskı/Yayın Bilgisi: (1979)

Технология полупроводниковых материалов: [учебное пособие]
Yazar:: Акчурин Р. Х. Рауф Хамзинович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Изд-во МИХМ, 1985)

Механическая обработка полупроводниковых материалов
Yazar:: Бочкин О. И. Олег Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Высшая школа, 1983)

Технология полупроводниковых материалов: учебное пособие
Yazar:: Александров С. Е. Сергей Евгеньевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (СПб., Лань, 2012)

Люминесценция и нелинейная оптика
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Наука, 1972)

A complex of spectrochemical, mass-spectrometric and atomic-absorption methods for the analysis of thin layers of gallium arsenide and silicon semiconductors: [offprint]
Yazar:: Yudelevich I. G.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Vienna, Springer-Verlag, 1978)

Физика полупроводниковых материалов и приборов: тематический сборник
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Изд-во МЭИ, 1981)

Получение наночастиц сульфидов кадмия и свинца фотохимическим методом; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Yazar:: Егоров Н. Б. Николай Борисович
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
Yazar:: Long Stephen I
Baskı/Yayın Bilgisi: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
Yazar:: Сытенко Т. Н.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Обработка полупроводниковых материалов: монография
Baskı/Yayın Bilgisi: (Киев, Наукова думка, 1982)

Управление составом полупроводниковых кристаллов
Yazar:: Романенко В. Н. Владимир Николаевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Металлургия, 1976)

Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
Yazar:: Войцеховский А. В.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2000)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
Yazar:: Каплан Б. Я.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, [Б. и.], 1969)

Фотолюминесценция композитов на основе полиметилметакрилата и наноразмерных частиц легированных сульфидов цинка и кадмия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
Yazar:: Исаева А. А. Анастасия Александровна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 2022)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Наука, 1973)

Физические процессы в соединениях типа АПВУ I
Baskı/Yayın Bilgisi: (Тарту, 1972)

Спектрально-кинетические характеристики донорно-акцепторных пар в кристаллах сульфида кадмия и селенида цинка; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Вынужденное излучение в кристаллах сульфида кадмия при высоких уровнях возбуждения; Современные техника и технологии; Т. 2
Yazar:: Лысык В. В.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Полупроводниковые материалы и приборы
Baskı/Yayın Bilgisi: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
Yazar:: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Полупроводниковые наноструктуры сульфидов свинца, кадмия и серебра: [монография]
Yazar:: Садовников С. И. Станислав Игоревич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Физматлит, 2018)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
Yazar:: Толбанов О. П.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2003)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1988)

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Мир, 1988)

Obtaining of nanoparticles of СdS by photolysis of NA4CDS2O33 aqueous solutions; Методология проектирования молодежного научно-инновационного пространства как основа подготовки современного инженера
Yazar:: Obmuch K. V.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014)

Composition andband gap tailoring of crestalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires for enhanced photoelectrochemical performance; Inorganic Chemistry; Vol. 57, iss. 9
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
Yazar:: Сараева В. Е.
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
Yazar:: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Baskı/Yayın Bilgisi: (2018)