|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
263104 |
| 005 |
20231101233718.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\286089
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\96959
|
| 090 |
|
|
|a 263104
|
| 100 |
|
|
|a 20140605d1988 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a EE
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов. Полупроводниковые материалы IX
|f Таллинский политехнический институт (ТПИ)
|
| 210 |
|
|
|a Таллин
|c Изд-во ТПИ
|d 1988
|
| 215 |
|
|
|a 115 с.
|c ил.
|
| 225 |
1 |
|
|a Труды Таллинского политехнического института
|v вып. 659
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр. в конце статей
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводниковые материалы
|x Параметры
|x Измерение
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50665
|9 69316
|
| 606 |
1 |
|
|a Диэлектрики
|x Физика
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\9771
|
| 610 |
1 |
|
|a никель
|
| 610 |
1 |
|
|a арсенид галлия
|
| 610 |
1 |
|
|a химическое осаждение
|
| 610 |
1 |
|
|a термообработка
|
| 610 |
1 |
|
|a контактный слой
|
| 610 |
1 |
|
|a структура
|
| 610 |
1 |
|
|a межфазные реакции
|
| 610 |
1 |
|
|a электронная микроскопия
|
| 610 |
1 |
|
|a электрохимическое травление
|
| 610 |
1 |
|
|a сульфид кадмия
|
| 610 |
1 |
|
|a краевое излучение
|
| 610 |
1 |
|
|a фотолюминесценция
|
| 610 |
1 |
|
|a порошки
|
| 610 |
1 |
|
|a отжиг
|
| 610 |
1 |
|
|a примеси
|
| 610 |
1 |
|
|a химический анализ
|
| 610 |
1 |
|
|a изотермическая рекристаллизация
|
| 610 |
1 |
|
|a дефектообразование
|
| 610 |
1 |
|
|a вакуумное напыление
|
| 610 |
1 |
|
|a фотоаноды
|
| 610 |
1 |
|
|a пленки
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.592
|v 3
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.61:53
|v 3
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Таллинский политехнический институт (ТПИ)
|c (1941-1989)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\12417
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20060209
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150507
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
