Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах: [монография]

Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах: [монография]

Dades bibliogràfiques
Autor principal:	Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Autor corporatiu:	Академия наук СССР (АН СССР) Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)
Idioma:	rus
Publicat:	Ленинград, Наука, 1978
Matèries:	Полупроводники > Дефекты эпитаксиальные процессы полупроводниковые кристаллы дефектообразование примеси диффузия примесей легирование
Format:	Llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=261352

Ítems similars

Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
per: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
Publicat: (Москва, Наука, 1981)

Атомная диффузия в полупроводниковых структурах
per: Абдуллаев Г. М. Гасан Мамед Багир оглы
Publicat: (Москва, Атомиздат, 1980)

Дефекты в кристаллах полупроводников: сборник статей; пер. с англ.
Publicat: (Москва, Мир, 1969)

Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах
per: Заитов Ф. А. Фарид Алимович
Publicat: (Баку, Азернешр, 1984)

Дефектно-примесные реакции в полупроводниках
per: Васильев А. В. Альберт Васильевич
Publicat: (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2001)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
per: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Publicat: (Ташкент, Фан, 1979)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
per: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Publicat: (Москва, Советское радио, 1976)

Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках
per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1979)

Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников
per: Арефьев К. П. Константин Петрович
Publicat: (Москва, Энергоатомиздат, 1983)

Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1981)

Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников
per: Мильвидский М. Г. Михаил Григорьевич
Publicat: (Москва, Металлургия, 1984)

Неизотермическая модель начальной стадии процесса поверхностной обработки металла потоком частиц; Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций
per: Парфёнова Е. С. Елена Сергеевна
Publicat: (2016)

Диффузия в полупроводниках
per: Болтакс Б. И. Борис Иосифович
Publicat: (Москва, Физматгиз, 1961)

Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках
per: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Publicat: (Москва, Энергоатомиздат, 1984)

Теория радиационных дефектов в полупроводниках
per: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
Publicat: (Киев, Наукова думка, 1988)

Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках
per: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Publicat: (Москва, Энергоатомиздат, 1991)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков: учебник
per: Горелик С. С. Семен Самуилович
Publicat: (Москва, МИСиС, 2003)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков.
per: Горелик С. С.
Publicat: (Москва, МИСИС, 2003)

Дефекты и массоперенос в твердофазных соединениях переходных элементов: сборник статей
Publicat: (Свердловск, Изд-во УНЦ АН СССР, 1985)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
per: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
per: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2005)

Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A2B6
per: Логинов Ю. Ю. Юрий Юрьевич
Publicat: (Москва, Логос, 2003)

Дефекты и диффузия газов в кристаллах
Publicat: (Свердловск, УНЦ АН СССР, 1985)

Арсенид галлия: сборник статей
Publicat: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
per: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Publicat: (Москва, Металлургия, 1974)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
per: Чижевич Л. А.
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1974)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2005)

Influence of an initial chemical state of bivalent cation impurities on their diffusion activity in alkali-halide crystals; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
per: Gyngazov (Ghyngazov) S. A. Sergey Anatolievich
Publicat: (2015)

Чтения памяти А. Ф. Иоффе: сборник научных трудов; Создание дефектов при распаде экситонов в ионных кристаллах; Дефектообразование при действии ионизированных механизмов; Фотостимулированные дефекты и фотоструктурированные превращения в стеклообразных полупроводниках; Рождение и преобразование дефектов при релаксации электронных возбуждений в твердых телах (основные теоретические представления)
Publicat: (Ленинград, Наука, 1986)

Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах
per: Шишияяну Ф. С. Федор Семенович
Publicat: (Кишинев, Штиинца, 1978)

Дефекты в металлах
per: Суворов А. Л. Александр Леонидович
Publicat: (Москва, Наука, 1984)

Точечные дефекты в твердых телах: Сборник статей
Publicat: (Москва, Мир, 1979)

Диффузия атомов и ионов в твердых телах
per: Бокштейн Б. С.
Publicat: (Москва, МИСИС, 2005)

Примеси и точечные дефекты в полупроводниках
per: Емцев В. В. Вадим Валентинович
Publicat: (Москва, Радио и связь, 1981)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
per: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1978)

Дефекты в кремнии и на его поверхности
per: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
Publicat: (Москва, Наука, 1990)

Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
Publicat: (Москва, Эдиториал УРСС, 2000)

Полупроводниковые материалы в современной электронике
per: Мильвидский М. Г. Михаил Григорьевич
Publicat: (Москва, Наука, 1986)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1981)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publicat: (Новосибирск, Наука, 1977)