Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах: [монография]

Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах: [монография]

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Körperschaft:	Академия наук СССР (АН СССР) Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Ленинград, Наука, 1978
Schlagworte:	Полупроводники > Дефекты эпитаксиальные процессы полупроводниковые кристаллы дефектообразование примеси диффузия примесей легирование
Format:	Buch
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=261352

Ähnliche Einträge

Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
von: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
Veröffentlicht: (Москва, Наука, 1981)

Атомная диффузия в полупроводниковых структурах
von: Абдуллаев Г. М. Гасан Мамед Багир оглы
Veröffentlicht: (Москва, Атомиздат, 1980)

Дефекты в кристаллах полупроводников: сборник статей; пер. с англ.
Veröffentlicht: (Москва, Мир, 1969)

Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах
von: Заитов Ф. А. Фарид Алимович
Veröffentlicht: (Баку, Азернешр, 1984)

Дефектно-примесные реакции в полупроводниках
von: Васильев А. В. Альберт Васильевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2001)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
von: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Veröffentlicht: (Ташкент, Фан, 1979)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
von: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Veröffentlicht: (Москва, Советское радио, 1976)

Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников
von: Арефьев К. П. Константин Петрович
Veröffentlicht: (Москва, Энергоатомиздат, 1983)

Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
Veröffentlicht: (Новосибирск, Наука, 1981)

Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках
von: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Veröffentlicht: (Новосибирск, Наука, 1979)

Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников
von: Мильвидский М. Г. Михаил Григорьевич
Veröffentlicht: (Москва, Металлургия, 1984)

Диффузия в полупроводниках
von: Болтакс Б. И. Борис Иосифович
Veröffentlicht: (Москва, Физматгиз, 1961)

Неизотермическая модель начальной стадии процесса поверхностной обработки металла потоком частиц; Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций
von: Парфёнова Е. С. Елена Сергеевна
Veröffentlicht: (2016)

Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках
von: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Veröffentlicht: (Москва, Энергоатомиздат, 1984)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков: учебник
von: Горелик С. С. Семен Самуилович
Veröffentlicht: (Москва, МИСиС, 2003)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков.
von: Горелик С. С.
Veröffentlicht: (Москва, МИСИС, 2003)

Теория радиационных дефектов в полупроводниках
von: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
Veröffentlicht: (Киев, Наукова думка, 1988)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
von: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках
von: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Veröffentlicht: (Москва, Энергоатомиздат, 1991)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
von: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 2005)

Дефекты и массоперенос в твердофазных соединениях переходных элементов: сборник статей
Veröffentlicht: (Свердловск, Изд-во УНЦ АН СССР, 1985)

Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A2B6
von: Логинов Ю. Ю. Юрий Юрьевич
Veröffentlicht: (Москва, Логос, 2003)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
von: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Veröffentlicht: (Москва, Металлургия, 1974)

Дефекты и диффузия газов в кристаллах
Veröffentlicht: (Свердловск, УНЦ АН СССР, 1985)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
von: Чижевич Л. А.
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 1974)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
von: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 2005)

Арсенид галлия: сборник статей
Veröffentlicht: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Чтения памяти А. Ф. Иоффе: сборник научных трудов; Создание дефектов при распаде экситонов в ионных кристаллах; Дефектообразование при действии ионизированных механизмов; Фотостимулированные дефекты и фотоструктурированные превращения в стеклообразных полупроводниках; Рождение и преобразование дефектов при релаксации электронных возбуждений в твердых телах (основные теоретические представления)
Veröffentlicht: (Ленинград, Наука, 1986)

Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах
von: Шишияяну Ф. С. Федор Семенович
Veröffentlicht: (Кишинев, Штиинца, 1978)

Диффузия атомов и ионов в твердых телах
von: Бокштейн Б. С.
Veröffentlicht: (Москва, МИСИС, 2005)

Influence of an initial chemical state of bivalent cation impurities on their diffusion activity in alkali-halide crystals; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
von: Gyngazov (Ghyngazov) S. A. Sergey Anatolievich
Veröffentlicht: (2015)

Точечные дефекты в твердых телах: Сборник статей
Veröffentlicht: (Москва, Мир, 1979)

Дефекты в металлах
von: Суворов А. Л. Александр Леонидович
Veröffentlicht: (Москва, Наука, 1984)

Примеси и точечные дефекты в полупроводниках
von: Емцев В. В. Вадим Валентинович
Veröffentlicht: (Москва, Радио и связь, 1981)

Дефекты в кремнии и на его поверхности
von: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
Veröffentlicht: (Москва, Наука, 1990)

Электронные свойства дислокаций в полупроводниках
Veröffentlicht: (Москва, Эдиториал УРСС, 2000)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
von: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Veröffentlicht: (Новосибирск, Наука, 1978)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Veröffentlicht: (Новосибирск, Наука, 1981)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Veröffentlicht: (Новосибирск, Наука, 1977)

Свойства легированных полупроводников
Veröffentlicht: (Москва, Наука, 1977)