MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 261352
005 20231031221559.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\284328 
090 |a 261352 
100 |a 20140522d1978 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах  |e [монография]  |f Т. Д. Джафаров  |g Академия наук СССР (АН СССР), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) 
210 |a Ленинград  |c Наука  |d 1978 
215 |a 208 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр. в конце гл. 
606 1 |a Полупроводники  |x Дефекты  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50558 
610 1 |a эпитаксиальные процессы 
610 1 |a полупроводниковые кристаллы 
610 1 |a дефектообразование 
610 1 |a примеси 
610 1 |a диффузия примесей 
610 1 |a легирование 
675 |a 537.311.322:539  |v 3 
700 1 |a Джафаров  |b Т. Д.  |g Таяр Джумшуд оглы 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)  |c (Ленинград)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\12056 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140522 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20220715  |g RCR 
942 |c BK