Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
Москва, Металлургия, 1977
|
| বিষয়গুলি: | |
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=261301 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов: учебное пособие
অনুযায়ী: Уфимцев В. Б. Всеволод Борисович
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1981)
অনুযায়ী: Уфимцев В. Б. Всеволод Борисович
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1981)
Ретроградный распад твердых растворов
অনুযায়ী: Акопян Р. А. Рантин Арутюновия
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1985)
অনুযায়ী: Акопян Р. А. Рантин Арутюновия
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1985)
Туннельные свойства сверхпроводящих сплавов: монография
অনুযায়ী: Москаленко В. А. Всеволод Апатольевич
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1978)
অনুযায়ী: Москаленко В. А. Всеволод Апатольевич
প্রকাশিত: (Кишинев, Штиинца, 1978)
Полупроводниковые твердые растворы (германий-кремний)
প্রকাশিত: (Баку, Элм, 1983)
প্রকাশিত: (Баку, Элм, 1983)
Кинетическая теория лазеров
অনুযায়ী: Машкевич В. С. Владимир Стефанович
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1971)
অনুযায়ী: Машкевич В. С. Владимир Стефанович
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1971)
Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1977)
প্রকাশিত: (Новосибирск, Наука, 1977)
Люминесцентная спектроскопия процессов переноса заряда в оксиде никеля и твердых растворах Ni[c]Mg[1-c],Ni[x]Zn[1-x]O: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Чурманов В. Н. Владимир Николаевич
প্রকাশিত: (Екатеринбург, [Б. и.], 2017)
অনুযায়ী: Чурманов В. Н. Владимир Николаевич
প্রকাশিত: (Екатеринбург, [Б. и.], 2017)
Физика соединений A3B5: сборник статей по материалам конференции
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1979)
প্রকাশিত: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1979)
Упорядочение и распад твердых растворов в минералах: сборник статей
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1980)
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1980)
Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
অনুযায়ী: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
অনুযায়ী: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
প্রকাশিত: (Томск, 2010)
Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
অনুযায়ী: Пешев В. В. Владимир Викторович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
অনুযায়ী: Пешев В. В. Владимир Викторович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
অনুযায়ী: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
প্রকাশিত: (2012)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
অনুযায়ী: Потапов А. И. Александр Иванович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
অনুযায়ী: Потапов А. И. Александр Иванович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
অনুযায়ী: Пешев В. В. Владимир Викторович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1999)
অনুযায়ী: Пешев В. В. Владимир Викторович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1999)
Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
প্রকাশিত: (Томск, 1985)
অনুযায়ী: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
প্রকাশিত: (Томск, 1985)
Явления переноса носителей заряда и тепла в полупроводниках
প্রকাশিত: (Махачкала, Изд-во института физики ДФАН СССР, 1986)
প্রকাশিত: (Махачкала, Изд-во института физики ДФАН СССР, 1986)
Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
অনুযায়ী: Пешев В. В.
প্রকাশিত: (2002)
অনুযায়ী: Пешев В. В.
প্রকাশিত: (2002)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
অনুযায়ী: Потапов А. И. Александр Иванович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1999)
অনুযায়ী: Потапов А. И. Александр Иванович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1999)
Проблемы физики поверхности полупроводников
প্রকাশিত: (Киев, Наукова думка, 1981)
প্রকাশিত: (Киев, Наукова думка, 1981)
Новые материалы электронной техники: межвузовский сборник научных трудов
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во ВПИ, 1983)
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во ВПИ, 1983)
Т. 1; Физика твердого тела
প্রকাশিত: (1959)
প্রকাশিত: (1959)
Дисперсионное твердение: пер. с англ.
অনুযায়ী: Келли А.
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1966)
অনুযায়ী: Келли А.
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1966)
Точечные дефекты в твердых телах: Сборник статей
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1979)
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1979)
Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
প্রকাশিত: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)
প্রকাশিত: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)
Многокомпонентные магнитные полупроводники
অনুযায়ী: Никифоров К. Г. Константин Георгиевич
প্রকাশিত: (Калуга, Изд-во КГПУ, 2000)
অনুযায়ী: Никифоров К. Г. Константин Георгиевич
প্রকাশিত: (Калуга, Изд-во КГПУ, 2000)
Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов
অনুযায়ী: Кузнецов В. В. Владимир Владимирович
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1991)
অনুযায়ী: Кузнецов В. В. Владимир Владимирович
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1991)
Диффузия в полупроводниках
অনুযায়ী: Болтакс Б. И. Борис Иосифович
প্রকাশিত: (Москва, Физматгиз, 1961)
অনুযায়ী: Болтакс Б. И. Борис Иосифович
প্রকাশিত: (Москва, Физматгиз, 1961)
Влияние распада монокристаллов твердых растворов щелочно-галоидных соединений на их электропроводность и диэлектрические потери: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
অনুযায়ী: Джапаров Р. Д.
প্রকাশিত: (Томск, 1968)
অনুযায়ী: Джапаров Р. Д.
প্রকাশিত: (Томск, 1968)
Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
অনুযায়ী: Ардышев М. В.
প্রকাশিত: (2004)
অনুযায়ী: Ардышев М. В.
প্রকাশিত: (2004)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
প্রকাশিত: (2014)
প্রকাশিত: (2014)
Выделение второй фазы в твердых растворах
অনুযায়ী: Устиновщиков Ю. И. Юрий Иванович
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1988)
অনুযায়ী: Устиновщиков Ю. И. Юрий Иванович
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1988)
Субсолидусные превращения твердых растворов породообразующих минералов
অনুযায়ী: Хисина Н. Р.
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1987)
অনুযায়ী: Хисина Н. Р.
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1987)
Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп: пер. с англ.
অনুযায়ী: Маделунг О.
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1967)
অনুযায়ী: Маделунг О.
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1967)
Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Кабышев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2012)
Микромеханизмы дисперсионного твердения сплавов: пер. с англ.
অনুযায়ী: Мартин Дж. У.
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1983)
অনুযায়ী: Мартин Дж. У.
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1983)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
অনুযায়ী: Толбанов О. П. Олег Петрович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
অনুযায়ী: Толбанов О. П. Олег Петрович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
Физико-химические основы синтеза монокристаллов полупроводниковых твердых растворов соединений А II В VI
প্রকাশিত: (Киев, Наукова думка, 1986)
প্রকাশিত: (Киев, Наукова думка, 1986)
Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
অনুযায়ী: Чернявский А. В. Александр Викторович
প্রকাশিত: (2011)
অনুযায়ী: Чернявский А. В. Александр Викторович
প্রকাশিত: (2011)
Превращения в металлах с различной энергией дефектов упаковки
অনুযায়ী: Вишняков Я. Д. Яков Дмитриевич
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1981)
অনুযায়ী: Вишняков Я. Д. Яков Дмитриевич
প্রকাশিত: (Москва, Металлургия, 1981)