Проблемы физики поверхности полупроводников

Проблемы физики поверхности полупроводников

Detaylı Bibliyografya
Müşterek Yazar:	Академия наук Украинской ССР (АН УССР) Институт полупроводников (ИП)
Diğer Yazarlar:	Снитко О. В. (редактор), Саченко А. В., Примаченко В. Е., Антощук В. В., Мацас Е. П., Миление В. В.
Dil:	Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi:	Киев, Наукова думка, 1981
Konular:	Полупроводники > Физика поверхности электронные явления неравновесность германий кремний легирование импульсная адсорбция фотоэлектрическая память арсенид галлия электронный кремний поляритоны кристаллическое строение границы раздела электрохимические явления
Materyal Türü:	Kitap
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=259474

Benzer Materyaller

Проблемы физики полупроводников: сборник статей; пер. с англ.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1957)

Введение в физику полупроводников: пер. с англ.
Yazar:: Данлэп У.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Изд-во иностранной литературы, 1959)

Поверхностные поляритоны в полупроводниках и диэлектриках
Yazar:: Дмитрук Н. Л. Николай Леонтьевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Киев, Наукова думка, 1989)

Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов
Yazar:: Фистуль В. И. Виктор Ильич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Металлургия, 1977)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Baskı/Yayın Bilgisi: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Основы физики полупроводников: учебное пособие для техникумов
Yazar:: Гаврилов Р. А. Роман Александрович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Машиностроение, 1966)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Yazar:: Ардышев М. В.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2004)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Baskı/Yayın Bilgisi: (2014)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Yazar:: Толбанов О. П. Олег Петрович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1999)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
Yazar:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
Yazar:: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Baskı/Yayın Bilgisi: (2012)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Yazar:: Толбанов О. П. Олег Петрович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 1999)

Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Yazar:: Чернявский А. В. Александр Викторович
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Перестройка твердых тел на границах раздела фаз
Yazar:: Мокроусов Г. М. Геннадий Михайлович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1990)

Релаксационные явления в нитевидных кристаллах полупроводников
Yazar:: Антипов С. А. Сергей Анатольевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1987)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Baskı/Yayın Bilgisi: (Новосибирск, Наука, 1981)

Физика поверхности полупроводников: учебное пособие для вузов
Yazar:: Пека Г. П. Генриета Павловна
Baskı/Yayın Bilgisi: (Киев, Изд-во Киевского ун-та, 1967)

Физика и химия полупроводников: учебное пособие
Yazar:: Митрофанов В. В. Волюслав Владимирович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Ленинград, Судостроение, 1965)

Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: пер. с англ.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Мир, 1982)

Физика соединений A3B5: сборник статей по материалам конференции
Baskı/Yayın Bilgisi: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1979)

Введение в физику полупроводников: учебное пособие
Yazar:: Фистуль В. И. Виктор Ильич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Высшая школа, 1984)

Физико-химические основы легирования полупроводников
Yazar:: Глазов В. М. Василий Михайлович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Наука, 1967)

Введение в физику полупроводников: учебное пособие для вузов
Yazar:: Фистуль В. И. Виктор Ильич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Высшая школа, 1975)

Т. 11; Электроника и ее применение
Baskı/Yayın Bilgisi: (1979)

Физикохимия поверхности: учебник-монография
Yazar:: Ролдугин В. И. Вячеслав Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Долгопрудный, Интеллект, 2011)

Физикохимия поверхности: [учебник-монография]
Yazar:: Ролдугин В. И. Вячеслав Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Долгопрудный, Интеллект, 2008)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Наука, 1973)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Yazar:: Карлова Г. Ф.
Baskı/Yayın Bilgisi: (2011)

Кинетика массопереноса на поверхности Si(111) при субмонослойном эпитаксиальном росте Si, Ge и адсорбции Sn: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.1.3.8
Yazar:: Петров А. С. Алексей Сергеевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Новосибирск, 2024)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Yazar:: Пешев В. В. Владимир Викторович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1999)

Процессы на поверхности твердых тел
Yazar:: Лифшиц В. Г. Виктор Григорьевич
Baskı/Yayın Bilgisi: (Владивосток, Дальнаука, 2003)

Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией
Yazar:: Вигдорович В. Н. Виленин Наумович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Металлургия, 1969)

Явления переноса носителей заряда и тепла в полупроводниках
Baskı/Yayın Bilgisi: (Махачкала, Изд-во института физики ДФАН СССР, 1986)

Электрические и оптические свойства полупроводников AIII и BV: [сборник научных трудов]
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Наука, 1976)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Baskı/Yayın Bilgisi: (Новосибирск, Наука, 1977)

Кремний и германий: сборник статей; вып. 2
Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Металлургия, 1970)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
Yazar:: Потапов А. И. Александр Иванович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Yazar:: Пешев В. В. Владимир Викторович
Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 1999)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Baskı/Yayın Bilgisi: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)