|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
259474 |
| 005 |
20231031220647.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\282417
|
| 090 |
|
|
|a 259474
|
| 100 |
|
|
|a 20140508d1981 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a UA
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Проблемы физики поверхности полупроводников
|f О. В. Снитко [и др.]
|g Академия наук Украинской ССР (АН УССР), Институт полупроводников (ИП) ; под ред. О. В. Снитко
|
| 210 |
|
|
|a Киев
|c Наукова думка
|d 1981
|
| 215 |
|
|
|a 332 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 304-328.
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|x Физика
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50607
|
| 610 |
1 |
|
|a поверхности
|
| 610 |
1 |
|
|a электронные явления
|
| 610 |
1 |
|
|a неравновесность
|
| 610 |
1 |
|
|a германий
|
| 610 |
1 |
|
|a кремний
|
| 610 |
1 |
|
|a легирование
|
| 610 |
1 |
|
|a импульсная адсорбция
|
| 610 |
1 |
|
|a фотоэлектрическая память
|
| 610 |
1 |
|
|a арсенид галлия
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный кремний
|
| 610 |
1 |
|
|a поляритоны
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллическое строение
|
| 610 |
1 |
|
|a границы раздела
|
| 610 |
1 |
|
|a электрохимические явления
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322
|v 3
|
| 701 |
|
1 |
|a Снитко
|b О. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Саченко
|b А. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Примаченко
|b В. Е.
|
| 701 |
|
1 |
|a Антощук
|b В. В.
|
| 701 |
|
1 |
|a Мацас
|b Е. П.
|
| 701 |
|
1 |
|a Миление
|b В. В.
|
| 702 |
|
1 |
|a Снитко
|b О. В.
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Украинской ССР (АН УССР)
|b Институт полупроводников (ИП)
|c (Киев)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\12057
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20140508
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20160202
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
